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国家知识产权局信息显示，万国半导体国际有限合伙公司申请一项名为用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二极管的专利，公开号 CN

国家知识产权局信息显示，广东中图半导体科技股份有限公司申请一项名为一种高一致性图形化衬底的制备方法、图形化衬底和LED外延

国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为检测晶圆位置的方法、晶圆环切方法及晶圆环切装置的专利，公开号 C

国家知识产权局信息显示，浙江睿熙科技有限公司申请一项名为VCSEL 集成晶圆及其制造方法的专利，公开号 CN 119134035 A，申请日

关于印发《标准提升引领原材料工业优化升级行动方案（2025—2027年）》的通知

格力电器董事长董明珠在《珍知酌见》 栏目里与新浪财经CEO邓庆旭对话时透露，格力电器在芯片研发领域取得重大突破。

科技部党组书记、部长阴和俊主持召开党组会，传达学习中央经济工作会议精神，研究部署贯彻落实工作。

国家市场监督管理总局依法对英伟达开展立案调查。

株洲中车时代半导体有限公司发生工商变更，新增国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司

北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所、人工微结构和介观物理国家重点实验室、纳光电子前沿科学中心王新强教授与北京大学电子显微镜实验室王涛高级工程师探测到褶皱二维氮化镓（GaN）的声子行为。

“氮化镓射频电子器件与应用分会”上，深圳市汇芯通信技术有限公司、国家5G中高频器件创新中心副总经理、CTO 许明伟做了“FLAB：特色射频半导体的技术创新模式探索”的主题报告，分享了国家5G中高频器件创新中心FLAB三代特色半导体工艺技术创新的新模式，包括硬件建设、软件建设、开发体系、技术路线等。

半导体行业作为高新技术的代表，得到了国家政策的大力支持和各地政府的积极投资。

商务部印发《支持苏州工业园区深化开放创新综合试验的若干措施》。

“氮化镓射频电子器件与应用”技术分会上，香港科技大学高通光学实验室主任、教授、高武半导体（香港）有限公司创始人俞捷，小米通讯技术有限公司高级硬件研发工程师孙跃，中国科学技术大学微电子学院教授、安徽云塔电子科技有限公司创始人左成杰，西安电子科技大学教授薛军帅，深圳市汇芯通信技术有限公司、国家5G中高频器件创新中心副总经理、CTO许明伟，苏州能讯高能半导体有限公司研发总监张新川，中国科学院半导体研究所副研究员张连，九峰山实验室熊鑫，江南大学集成电路学院博士刘涛，中国科学院微电子研究所张国祥等嘉宾们带来精彩报告

汇芯通信/国家5G中高频器件创新中心诚邀产业同仁共聚论坛，莅临 B27号展位参观交流、洽谈合作。

北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所、宽禁带半导体研究中心、人工微结构和介观物理国家重点实验室许福军、沈波团队创新

汇芯通信/国家5G中高频器件创新中心诚邀产业同仁共聚论坛，莅临 B27号展位参观交流、洽谈合作。

国家知识产权局信息显示，联华电子股份有限公司申请一项名为半导体结构以及其形成方法的专利，公开号CN 118900619 A，申请日期为

11月18-21日，IFWS2024&SSLCHINA2024、先进半导体技术应用创新展将在苏州国际博览中心举办。“国创中心（苏州）”诚挚邀请产业同仁共聚论坛，莅临B08-B09号展位参观交流、洽谈合作。

国家知识产权局信息显示，南京南瑞半导体有限公司申请一项名为一种沟槽型SiC器件及其制备方法的专利，公开号CN 118888594 A，申