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    国家知识产权局信息显示,华为技术有限公司申请一项名为碳化硅衬底及其制备方法、半导体器件、电子设备的专利,公开号 CN 119153

    国家知识产权局信息显示,万国半导体国际有限合伙公司申请一项名为用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二极管的专利,公开号 CN

    国家知识产权局信息显示,广东中图半导体科技股份有限公司申请一项名为一种高一致性图形化衬底的制备方法、图形化衬底和LED外延

    国家知识产权局信息显示,上海积塔半导体有限公司申请一项名为检测晶圆位置的方法、晶圆环切方法及晶圆环切装置的专利,公开号 C

    国家知识产权局信息显示,浙江睿熙科技有限公司申请一项名为VCSEL 集成晶圆及其制造方法的专利,公开号 CN 119134035 A,申请日

    关于印发《标准提升引领原材料工业优化升级行动方案(2025—2027年)》的通知

    格力电器董事长董明珠在《珍知酌见》 栏目里与新浪财经CEO邓庆旭对话时透露,格力电器在芯片研发领域取得重大突破。

    科技部党组书记、部长阴和俊主持召开党组会,传达学习中央经济工作会议精神,研究部署贯彻落实工作。

    国家市场监督管理总局依法对英伟达开展立案调查。

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