国家知识产权局信息显示，万国半导体国际有限合伙公司申请一项名为“用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二极管”的专利，公开号 CN 119153460 A，申请日期为 2024 年 5 月。

专利摘要显示，一种用于功率晶体管的保护结构包括形成在沟槽多晶硅层中的一对或多对背对背 pn 结二极管，所述沟槽多晶硅层设置在形成于半导体衬底中的沟槽中。沟槽多晶硅层的至少一部分在半导体衬底的顶表面上方突出。交替的 N 型掺杂区和 P 型掺杂区沿着沟槽的长度形成在沟槽多晶硅层中。当跨功率晶体管的栅极端子和源极端子耦合时，可以有利地应用保护结构来保护功率晶体管免受高电压 ESD 事件的影响。