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    广东中图半导体申请高一致性图形化衬底制备方法专利,解决图形化衬底均一性降低问题

    发表于:2024-12-23 来源:半导体产业网 编辑:

     国家知识产权局信息显示,广东中图半导体科技股份有限公司申请一项名为“一种高一致性图形化衬底的制备方法、图形化衬底和LED外延片”的专利,公开号CN 119153591 A,申请日期为2024年9月。

    专利摘要显示,本发明实施例提供的一种高一致性图形化衬底的制备方法、图形化衬底和LED外延片,该方法首先提供一衬底;应用物理、化学或机械平坦化技术中的至少一种,对衬底的第一表面进行原子级平坦化处理,以使第一表面的粗糙度达到第一表面粗糙度范围,和/或对衬底的第二表面进行原子级平坦化处理,以使第二表面的粗糙度达到第二表面粗糙度范围;在衬底的第二表面形成光刻胶层;利用掩膜版对光刻胶层进行曝光,以将掩膜版上的图形转移至衬底的第二表面。解决了因衬底表面粗糙,使得在图形化工艺曝光过程中,曝光光束在透过衬底时,在衬底表面发生反射、折射,从而对光刻胶进行多次曝光,从而导致刻蚀后图形化衬底的均一性降低的问题。

     

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