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国家知识产权局信息显示，深圳市联微半导体设备有限公司取得一项名为定位装置的专利，授权公告号CN 221885077 U，申请日期为2024

11月18-21日，IFWS2024&SSLCHINA2024、先进半导体技术应用创新展（CASTAS）将在苏州国际博览中心举办。目前，“氮化物半导体固态紫外技术及应用分会”最新报告日程正式出炉。

美国芝加哥大学普利兹克分子工程学院团队展示了界面生物电子学领域的新突破：他们创造出具有强大半导体功能的新型水凝胶材料。

作为IFWS的重要分会之一的“ 氮化镓射频电子器件与应用”分会最新报告日程正式出炉，将有来自将有香港科技大学高通光学实验室、高武半导体，小米通讯技术，汇芯通信/国家5G中高频器件创新中心，中国科学技术大学、云塔电子，能讯高能半导体，中国科学院半导体研究所，九峰山实验室，江南大学，中国科学院微电子研究所的专家们分享精彩主题报告。

国家知识产权局信息显示，山东粤海金半导体科技有限公司取得一项名为种专用的碳化硅衬底Wafer倒角装置的专利，授权公告号CN 2218

国家知识产权局信息显示，汉斯半导体（江苏）有限公司取得一项名为一种 IGBT 模块封装外壳抛光装置的专利，授权公告号 CN 221871

压力之下，闻泰科技如何在逆境中找到破局之道，不仅稳固了市场地位，更实现了业绩的飞跃？

拜登政府敲定针对美国个人和公司投资中国先进技术的限制，其中包括半导体、量子计算和人工智能（AI）。新规旨在防止美国资本和专业知识被用来帮助中国开发先进科技关键技术。

由于先进封装可以大幅提高芯片良率、降低设计复杂度及减少芯片制造成本，已成为美日对华半导体竞争的最前沿。

总投资30亿元！盘古半导体多芯片高密度板级扇出先进封装项目喜封金顶

国家知识产权局信息显示，苏州高视半导体技术有限公司申请一项名为基于晶圆检测系统的晶圆检测方法及其相关产品的专利，公开号 C

德州仪器 (TI)（纳斯达克代码：TXN）近日宣布，公司基于氮化镓 (GaN) 的功率半导体已在日本会津工厂开始投产。随着会津工厂

10月26日，总投资10亿元的普创先进半导体产业园项目已全面竣工投产。东莞日报消息称，该项目由东莞普莱信智能技术有限公司筹划，

远山半导体提供的DFN封装形式的Gan HEMT器件实现了1200V高耐压，并且展现出了极低的界面电容和优良的热阻 ，极快的开关速度，同时克服了氮化镓器件容易发生的电流崩塌问题。测试结果显示各项性能指标均达到行业领先水平，意味着其产品在性能、质量和可靠性方面具备优势，有更强的市场竞争力。

泛半导体产业园位于武汉经开综合保税区，由经开产投集团承建，项目总投资约3.4亿元。

杭州镓仁半导体实现氧化镓晶体生长技术重大突破

10月24日，德州仪器（TI）宣布，其位于日本会津的工厂已开始生产基于氮化镓 (GaN) 的功率半导体。随着会津工厂的投产，加上德州

天眼查显示，北京北方华创微电子装备有限公司一种进气管的清洗方法及半导体工艺设备专利公布，申请公布日为2024年9月24日，申请

美国麻省理工学院团队在电子制造领域取得一项重要进展：他们利用全3D打印技术，制作出了不需要半导体材料的有源电子设备器件。

2024年10月23日，纵慧芯光官宣随着最后一方混凝土的浇筑，3英寸化合物半导体芯片制造项目封顶仪式圆满完成。据中电三公司8月消息