2023年2月7-10日（7日报到），第八届国际第三代半导体论坛（IFWS 2022）&第十九届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2022）将于在苏州金鸡湖凯宾斯基大酒店召开。其中，超宽禁带及其他新型半导体材料与器件技术分会目前已经确认最新报告嘉宾及日程正式出炉！

“超宽禁带及其他新型半导体材料与器件”技术分会（2月9日08:30-17:30）作为IFWS&SSLCHINA 2022重要的分论坛之一，该分会得到了牛津仪器科技（上海）有限公司、苏州思体尔软件科技有限公司等单位协办支持，由山东大学讲席教授陶绪堂，中国科学技术大学微电子学院执行院长、教授龙世兵，西安电子科技大学副校长、教授张进成，郑州大学副校长、教授单崇新，北京大学教授、北大东莞光电研究院院长、教授王新强，西安交通大学教授王宏兴，南京大学教授叶建东，郑州大学教授刘玉怀，西安电子科技大学教授韩根全等也业内知名专家共同召集。

该技术分会行业关注的较高，在上、下两场中安排的主题报告十分丰富。上午场有：西安电子科技大学副校长、教授张进成，香港科技大学副教授黄文海，中山大学佛山研究院院长、中山大学半导体照明材料及器件国家地方联合工程实验室主任、教授王钢，西安电子科技大学教授韩根全，国家纳米科学中心研究员、中科院纳米标准与检测重点实验室副主任刘新风，北京大学工学院特聘研究员宋柏，中国科学院半导体所研究员张兴旺，复旦大学微电子学院教授卢红亮，湖北大学教授何云斌，南京大学汪正鹏；下午场有：哈尔滨工业大学教授朱嘉琦，中国电科首席科学家、中国电科13所研究员、专用集成电路国家级重点实验室常务副主任冯志红，日本国立物质材料研究所研究员廖梅勇，西安电子科技大学教授张金风，大连理工大学副教授张赫之，沙特国王科技大学副教授李晓航，郑州大学副教授杨珣，山东大学副教授穆文祥，英国布里斯托大学新兴技术系主任、教授Martin KUBALL，苏州思体尔软件科技有限公司副总经理付昊，中国科学技术大学周凯等等国内外科研院所与代表企业的专家们将带来前沿报告，分享超宽禁带及其他新型半导体材料与器件领域的最新进展。目前该分会日程已经出炉，详情如下：

技术分论坛：超宽禁带及其他新型半导体材料与器件 Technical Sub-Forum: Ultra-wide Bandgap Semiconductors Materials and Devices
时间：2023年2月9日08:30-17:30 地点：地点：苏州金鸡湖凯宾斯基大酒店 • 会议室K3 Time: Feb 9，2023，08:30-17:30 Location: Kempinski Hotel Suzhou • K3
协办支持/Co-organizer: 牛津仪器科技（上海）有限公司/Oxford Instruments Technology (Shanghai) Co., Ltd. 苏州思体尔软件科技有限公司/ SuZhou STR Software Technology Co., Ltd
屏幕尺寸 / Slides Size：16:9
主持人 Moderator	陶绪堂 / TAO Xutang 山东大学讲席教授 Chair Professor of Shandong University 龙世兵 / LONG Shibing 中国科学技术大学微电子学院执行院长、教授 Executive Dean & Professor of School of Microelectronics at University of Science and Technology of China 单崇新 / SHAN Chongxin 郑州大学副校长、教授 Vice President & Professor of Zhengzhou University
08:30-08:50	氧化镓功率器件耐压和功率优值的研究 Research on Voltage Withstand and Power Optimum Value of Ga2O3 Power Devices 张进成——西安电子科技大学副校长、教授 ZHANG Jincheng——Vice President and Professor of Xidian University
08:50-09:10	横向和纵向β-Ga2O3功率MOSFET的十年进展 A Decade of Advances in Lateral and Vertical β-Ga2O3 Power MOSFETs 黄文海——香港科技大学副教授 Man Hoi WONG——Associate Professor of The Hong Kong University of Science and Technology
09:10-09:30	新型宽禁带压电半导体材料ε-Ga2O3及其在射频谐振器中的应用 ε-Ga2O3: an Emerging Wide Bandgap Piezoelectric Semiconductor for Application in Radio Frequency Resonators 王钢——中山大学佛山研究院院长，中山大学半导体照明材料及器件国家地方联合工程实验室主任、教授 WANG Gang——Professor and Dean of Foshan Institute of Sun Yat-Sen University; Director of the National-Local Joint Engineering Laboratory of Semiconductor Lighting Materials and Devices of Sun Yat-Sen University
09:30-09:50	氧化镓异质结功率晶体管 Gallium Oxide Heterogeneous and Heterojunction Power Transistors 韩根全——西安电子科技大学教授 HAN Genquan——Professor of Xidian University
09:50-10:10	利用泵浦-探测瞬态反射显微技术测定立方砷化硼的高双极性迁移率 High Ambipolar Mobility in Cubic Boron Arsenide（BAs）Revealed by Transient Reflectivity Microscopy 刘新风——国家纳米科学中心研究员,中科院纳米标准与检测重点实验室副主任 LIU Xinfeng——Professor of National Nanoscience Center, Deputy director of the Key Laboratory of Standardizaiton and Characteriaziton of the Chinese Academy of Sciences
10:10-10:25	茶歇 / Coffee Break
10:25-10:45	超高热导率立方砷化硼和氮化硼晶体 Cubic boron arsenide and boron nitride crystals with ultrahigh thermal conductivity 宋柏——北京大学工学院特聘研究员 SONG Bai——Professor of Peking University
10:45-11:05	超宽禁带六方氮化硼二维原子晶体及其光电器件 Growth of ultra-wide band-gap two-dimensional hexagonal boron nitride for optoelectronic devices 张兴旺——中国科学院半导体所研究员 ZHANG Xingwang——Professor of Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences
11:05-11:25	Ga2O3光电二极管的可控制备及应用 Controllable Fabrication and Application of Ga2O3 Photodiodes 卢红亮——复旦大学微电子学院教授 LU Hongliang——Professor of Fudan University
11:25-11:45	MgO（100）上生长柱状纳米晶b-Ga2O3外延薄膜及其高灵敏度日盲探测器研究 Columnar-nanodomained epitaxial b-Ga2O3 thin films on MgO(100) for solar-blind photodetectors with exceedingly high sensitivity 何云斌——湖北大学教授 HE Yunbin——Professor of Hubei University
11:45-12:00	NiO/Ga2O3异质结二极管中深能级陷阱和载流子输运机制 Correlation of deep-level traps and carrier transport mechanisms in NiO/Ga2O3 heterojunction diodes 汪正鹏 ——南京大学 Zhengpeng Wang—— Nanjing University
11:45-13:30	午餐 / Lunch
13:30-13:50	单晶金刚石肖特基半导体器件研究 Study on Single Crystal Diamond Schottky Devices 朱嘉琦——哈尔滨工业大学教授 ZHU Jiaqi——Professor of Harbin University of Technology
13:50-14:10	金刚石微波功率器件进展 Progress in Diamond Microwave Power Devices 冯志红——中国电科首席科学家、中国电科13所研究员、专用集成电路国家级重点实验室常务副主任 FENG Zhihong——Hebei Semiconductor Research lnstitute
14:10-14:30	半导体金刚石n型电子器件和MEMS Semiconductor diamond n-type electronic devices and MEMS 廖梅勇——日本国立物质材料研究所研究员 LIAO Meiyong——Professor of National Institute for Material Science，NIMS,Japan
14:30-14:50	MPCVD法金刚石同质外延生长及MOS器件技术 Homogeneous epitaxial diamond growth by MPCVD and its MOS device technology 张金风——西安电子科技大学教授 ZHANG Jinfeng——Professor of Xidian University
14:50-15:10	利用高Al组分β-(AlGa)2O3缓冲层在蓝宝石衬底上优化生长高质量β-Ga2O3厚膜 Growth of high quality β- Ga2O3 thick film on sapphire by using high Al content β- (AlGa)2O3 buffer layer 张赫之——大连理工大学副教授 ZHANG Hezhi——Associate professor of Dalian University of Technology
15:10-15:25	茶歇 / Coffee Break
15:25-15:45	在可穿戴光电子学和电子学的柔性衬底上外延生长氧化镓半导体 Epitaxial growth of ga2o3 UWB semiconductor on flexible substrates for wearable optoelectronics and electronics 李晓航——沙特国王科技大学副教授 LI Xiaohang——Associate Professor at King Abdullah University of Science & Technology
15:45-16:05	金刚石深紫外光电探测器研究 Deep ultraviolet photodetectors based on diamond 杨珣——郑州大学副教授 YANG Xun——Professor of Zhengzhou University
16:05-16:25	β-Ga2O3单晶的体晶生长与性能 Bulk crystal growth and properties of β-Ga2O3Single Crystal 穆文祥——山东大学副教授 MU Wenxiang——Associate Professor of Shandong University
16:25-16:50（从英国连线互动）	Ultrawide Bandgap Ga2O3 Technologies - Benefits of Heterogeneous Integration Martin KUBALL——英国布里斯托大学新兴技术系主任、教授 Martin KUBALL——Royal Academy of Engineering Chair in Emerging Technologies at the University of Bristol, UK
16:50-17:05	超宽禁带半导体氧化镓及金刚石的晶体生长模拟研究 Modeling of ultrawide Bandgap Semiconductor crystal growth for Gallium oxide and Diamond 付昊——苏州思体尔软件科技有限公司副总经理 Henry FU——Vice General Manager of SuZhou STR Software Technology Co., Ltd.
17:05-17:20	基于表面电位的β-Ga2O3功率MOSFET紧凑模型 A Surface Potential based Compact Model for β-Ga2O3 Power MOSFETs 周凯——中国科学技术大学 ZHOU Kai——China University of Science and Technology

 （备注：会前或许微调，请以现场日程为准。）

【部分嘉宾简介】

陶绪堂

山东大学讲席教授

陶绪堂，1983年毕业于山东大学化学系，获得学士学位。同年考入山东大学晶体材料研究所，师从蒋民华教授。1986年获硕士学位并留校工作，1991年10月赴日留学，2002年8月回国工作。现任山东大学教授、晶体材料研究所所长、晶体材料国家重点实验室主任。2002年度教育部长江学者特聘教授、2003年度国家杰出青年基金、2005年度教育部创新团队和2007年度国家自然科学基金委创新群体学术带头人。兼任中国硅酸盐学会理事，中国晶体学会理事,中国硅酸盐学会晶体生长专业委员会委员，中国物理学会固体缺陷专业委员会副主任，第六届教育部科学技术委员会国防科技学部委员。发表SCI收录学术论文400余篇，研究成果曾被美国的Chem. & Eng. News , 英国的Chemistry & Industry, 美国化学会, “ Nature Asia” 等报道。连续五年（2014-2018）入选爱思唯尔中国高被引学者（Most Cited Chinese Researchers）榜单。曾获教育部科学技术进步一等奖、山东省科学技术进步一等奖、日本材料学会优秀报告奖。获2015年、2016年度教育部自然科学二等奖。

龙世兵

中国科学技术大学微电子学院执行院长、教授

龙世兵，中国科学技术大学微电子学院执行院长、教授。长期从事微纳加工、阻变存储器、超宽禁带半导体器件领域的研究。IEEE EDL/TED、Adv. Mater.等多种国际著名学术期刊的审稿人。在IEEE EDL、Adv. Mater.、Nat. Commun.等国际学术期刊上发表论文100余篇，SCI他引5500余次，H因子43，6篇论文入选ESI高引论文。申请专利100余项，其中9项转移给国内最大的集成电路制造企业中芯国际，74项授权/受理发明专利许可给武汉新芯。主持国家自然科学基金、科技部（863、973、重大专项、重点研发计划）、中科院、广东省等资助科研项目20多项。参与获得国家技术发明奖二等奖、国家自然科学二等奖、中国科学院杰出科技成就奖。

张进成

西安电子科技大学副校长、教授

张进成，西安电子科技大学副校长、教授。宽禁带半导体器件与集成电路国家工程研究中心副主任、宽带半导体技术国家级重点实验室副主任。主要研究领域为宽禁带与超宽禁带半导体材料与器件，发表SCI论文300余篇，出版专着3部，授权发明专利80余项，成果6次被国际着名杂志Semiconductor Today专题报道。获得国家技术发明二等奖2项（排名第一和第二），省部级科技一等奖4项以及国家教学成果一等奖1项。1998年起师从中国科学院院士郝跃教授，从事宽禁带半导体电子材料与器件研究，是我国乃至国际上最早开展宽禁带（第三代）半导体电子器件与材料研究的知名学者之一。曾获国家杰出青年基金获得者（2019年）、国家万人计划领军人才（2019年）、科技部中青年科技创新领军人才（2018年）、教育部长江学者特聘教授（2016年）、国务院政府特殊津贴专家（2016年）、陕西省重点科技创新团队负责人（2017年）、陕西省三秦学者特聘教授（2016年）、陕西省三五人才（2010年）、陕西省青年科技新星（2010年）等。

单崇新

郑州大学副校长、教授

单崇新，郑州大学副校长，理学博士，教授，博士生导师，国家杰出青年基金获得者，教育部长江学者特聘教授。主要从事金刚石光电材料与器件研究，发表学术论文300余篇，被引用11000余次。先后主持国家重大仪器研制项目、国家自然科学基金委-河南省联合基金重点项目等科研项目。获国家杰出青年基金、长江学者特聘教授、中国青年科技奖、中组部万人计划“青年拔尖人才”、人社部“百千万人才工程”及国家有突出贡献中青年专家、中原学者、河南省杰出专业技术人才、河南省五四青年奖章、河南省创新争先奖状、河南省优秀科技专家等奖励和荣誉。

王新强

北京大学教授、北大东莞光电研究院院长

王新强，北京大学物理学院教授，教育部长江特聘教授，国家杰出青年基金获得者，万人计划中青年领军人才，北京大学东莞光电研究院院长，人工微结构和介观物理国家重点实验室副主任，北京大学学科建设办公室主任。分别于1996和2002年在吉林大学电子科学与技术学院获得学士和博士学位，2002-2008年在日本千叶大学和日本科学技术振兴机构进行研究工作，2008年由百人计划加入到北京大学物理学院工作。主要从事宽禁带半导体材料、物理与器件研究，发表SCI论文160余篇，SCI引用逾2500次，在国内外学术会议上做邀请报告30余次，受邀在两部英文专著中撰写了二章节，申请/获得发明专利12项，担任国家重点研究计划项目负责人（首席），承担国家“863”计划重大项目等多项课题。担任Elsevier出版社“Superlattices and Microstructures”编辑，NPG出版社“Scientific Reports”和Wiley出版社Physica Status Solidi系列编委。

Martin KUBALL

英国布里斯托大学新兴技术系主任、教授

廖梅勇

日本国立物质材料研究所研究员

廖梅勇教授主要从事宽禁带半导体材料、物理、光电子及MEMS器件等研究。报告指出金刚石集机械、物理、化学、光学、电学等优异性能为一体，在高压、高频、高温以及耐辐照电子器件，大功率电力电子器件、LED以及5G通讯用射频器件热沉，深紫外LED和日盲传感，辐射探测、室温量子信息和传感等领域具有诱人的应用前景。报告还介绍了近年来单晶金刚石生长、半导体器件、氮化物等半导体/金刚石复合片结构、MEMS传感、量子传感等领域的研究进展。

王宏兴

西安交通大学教授

西安交通大学宽禁带半导体材料与器件中心主任

王宏兴，西安交通大学教授,西安交通大学宽禁带半导体材料与器件中心主任。2001年在日本德岛大学获得博士学位，其后作为高级研究员、执行董事、研发经理等职在日本Seki technotron 等公司工作。于2013年全职回国加入西安交通大学。主要研究领域为：半导体生长用MOCVD，MPCVD；III-V氮化物材料及发光器件；大尺寸单晶金刚石及电子器件；金刚石基GaN复合器件；量子光源及传感器。多项成果被采纳用于规模化生产。拥有100余项专利，发表文章120余篇。

叶建东

南京大学电子科学与工程学院教授

叶建东，南京大学电子科学与工程学院教授、博导。2002年和2006年分别在南京大学获得学士和博士学位。曾先后就职于新加坡微电子研究所和澳大利亚国立大学。长期从事宽禁带氧化物半导体材料、物理与器件研究，主持和完成国家重点研发计划课题、国家优秀青年基金、江苏省杰出青年基金、江苏省重点研发计划等。在IEEE Power Electron. Dev., IEEE Electron Dev. Lett., IEEE Trans. Electron Dev., Appl. Phys. Lett等学术期刊上发表130余篇，受邀综述3篇，专著1章，申请/授权发明专利15/7项。

刘玉怀

郑州大学教授

刘玉怀，郑州大学教授、博士生导师，科技部电子材料与系统国家国际联合研究中心主任，日本名古屋大学客座教授。主要研究方向为氮化物半导体材料与器件，主持国家重点研发计划政府间国际科技创新合作重点专项（基于氮化物半导体的深紫外激光器的研究）、国家自然科学基金面上项目、河南省科技攻关项目等12项。发表论文与会议报告215篇，国际会议邀请报告12次。日本专利公开1项、授权中国发明专利1项、实用新型项专利1项、软件著作权5项。紫外LED技术转移1项。目前主持第三批“智汇郑州1125创新创业领军团队”三色LED集成芯片项目，参与宁波市2025重大科技专项“深紫外LED产业化”。

李晓航

沙特国王科技大学副教授

李晓航博士是沙特阿拉伯阿卜杜拉国王科技大学电气工程系副教授，先进半导体实验室首席研究员。李晓航教授在华中科技大学获得应用物理学士学位，在美国理海大学获得电子工程硕士学位，在美国佐治亚理工学院取得电子工程博士学位。博士毕业后加入沙特阿卜杜拉国王科技大学创建并担任先进半导体实验室的PI兼博士生导师。现为Photonics Research副编辑和Journal of Semiconductor编委。担任IWN等多个国际主要会议的程序或组织委员会成员。李晓航教授致力于第三代半导体超宽禁带材料、器件、物理、设备的研究，这些领域预期会在未来对光电电子通信生化和生命科学等领域带来革命性的影响。在国际期刊和会议上发表论文200余篇，在国际会议大学研究所和公司做受邀报告80余次，他拥有20余项批准和在申的国际专利，是Nature Photonics等30多个国际学术杂志的审稿人。李晓航教授是半导体深紫外激光研究的先驱者之一：首次实现在蓝宝石上低阈值深紫外激光和260nm以下深紫外激光，首次实现在同一衬底上半导体TE和TM深紫外激光，首次实现半导体深紫外表面受激辐射。他也在BAlN和Ga2O3等新型第三代半导体研究做出了开创性的成果。他基于物理研究成果创立的Polarization Toolbox软件已被来自世界各70多个大学公司和科研院所所使用，包括UCSB、Cornell、ASML、IMEC、RIKEN、Facebook等。李晓航教授获得过美国晶体生长协会Harold M. Manasevit Young Investigator Award（全球每两年一名，系第一位中国人获该奖），SPIE研究生年度最高奖（全球每年一名，系第一位中国人获该奖），和IEEE Photonics Society研究生年度最高奖（全球每年十名），佐治亚理工学院和爱迪生创新基金会博士生最高奖（每年一名）。

冯志红

中国电子科技集团有限公司首席科学家、中国电子科技集团公司第十三研究所副总工程师

MAN HOI WONG黄文海

香港科技大学副教授

黄文海是香港科技大学电子及计算机工程副教授。黄教授是首批通过分子束外延（MBE）研究氮极性GaN微波晶体管及相关生长技术的研究人员之一。2011年至2013年，他是美国德克萨斯州SEMATECH公司研究联盟的研究科学家，在该联盟中，他开发了内部MBE增长能力，以实现对新型化合物半导体技术的研究，包括用于超越硅数字电子的III-V/Si单片集成。2013年至2019年，他在日本国家信息通信技术研究所（NICT）开发了Ga2O3电源设备，该研究所是日本主要的国家信息通信研究所。2019年，他在马萨诸塞州洛厄尔大学担任电气和计算机工程助理教授，2022年返回香港。黄教授发表了76篇期刊文章，发表了30多篇受邀演讲和研讨会，并合著了150多篇会议报告。他是关于Ga2O3和GaN晶体管技术的4篇特邀书籍章节和3篇特邀评论论文的主要作者。他的工作获得了多项奖项的认可，包括IEEE最佳论文奖（2008年设备研究会议）、SEMATECH公司卓越奖（2012年）、2015年氧化镓及相关材料国际研讨会青年研究员奖和NICT个人成就奖（2019年）。

韩根全

西安电子科技大学教授

韩根全，2015年加入中国西安电子科技大学。主要从事后摩尔新型微电子器件、芯片和Ga2O3功率器件研究。2019年创新发现不定型类铁电栅介质材料并实现非易失晶体管器件，有望颠覆德国人发现的多晶掺杂HfO2基铁电系列，推动非易失嵌入式存储器在FinFET/Nanosheet FET等先进3D晶体管中的应用。2019年通过智能剥离和转移技术（与中科院微系统所欧欣研究员合作）实现高导热衬底的Ga2O3功率器件，彻底解决Ga2O3导热问题，该成果为Compound Semiconductors网站报道，美国DARPA跟踪研究。他发表了200 多篇技术论文和 30 项已授权/正在申请的专利。他是 IEEE Electron Device Letters 的编辑。

王钢

中山大学佛山研究院院长

中山大学半导体照明材料及器件国家地方联合工程实验室主任、教授

王钢，中山大学微电子学院教授，半导体照明材料与器件国家地方联合工程实验室主任，中山大学佛山研究院院长，教育部2007 年度新世纪优秀人才支持计划入选者，科技部“十一五”、“十二五”国家科技重点专项（半导体照明专项）总体专家组专家。主要从事宽禁带氧化物半导体薄膜材料及器件外延制备技术、电子器件三维异构集成芯片3D打印制造技术、半导体材料高端装备研发等方向的研究。

朱嘉琦

哈尔滨工业大学教授

朱嘉琦，哈尔滨工业大学教授。主要从事晶体及薄膜等研究，担任中国机械工程学会表面工程分会副主任，中国材料研究学会极端材料与器件分会副主任,中国仪表材料学会副理事长, Functional Diamond、Advanced Materials & Devices副主编，获得中国青年科技奖、省青年五四奖章等荣誉，获国家技术发明奖二等奖1项，黑龙江省技术发明一等奖2项。以负责人承担国家自然科学基金6项（含重点1项）、重点研发计划项目2项、国防基础科研3项、预研计划7项、军品配套3项等科研项目。成果已应用于多种重点型号，并实现产业化。获授权发明专利82项(转让21项)，在SCIENCE, ADVANCED MATERIALS等知名刊物发表200余篇学术论文，出版学术专著2部，译著1部。

张金风

西安电子科技大学教授

张金风，西安电子科技大学教授。主要研究氮化镓(GaN) 和金刚石(C) 半导体材料和器件。出版国内第一部氮化物半导体领域专著《氮化物宽禁带半导体材料和电子器件》（科学出版社, 2013）及其英文版（CRC Press, 2017）, 发表学术论文70余篇，授权国家发明专利10余项，获得教育部高等学校科学研究优秀成果奖技术发明奖一等奖和陕西省科学技术奖一等奖。研究成果包括IEEE Electron Device Letters对中国金刚石场效应管研究的首次和第二次报道（均为2017年）和Applied Physics Letters首次对中国金刚石核探测器的研究报道（2020）。

何云斌

湖北大学教授

何云斌现任湖北大学二级教授、博士生导师，湖北省先进光电转换与光电催化材料国际合作基地主任，入选教育部新世纪优秀人才等各类省部级人才和团队计划，兼任中国仪表功能材料学会电子元器件关键材料与技术专业委员会资深常务委员等。主要在宽禁带半导体薄膜及紫外光电和功率电子器件、铁电光伏与介电储能、低维钙钛矿材料与新型光电器件、氧化物表界面物理与化学等领域/方向开展研究。主持国家重点研发计划课题等20余项研究项目，至今发表学术论文240余篇，其中200余篇被SCI收录，被SCI论文引用4500余次，申请国内外专利60余项，获授权46项。

何云斌教授带领团队在新型氧化物宽禁带半导体合金材料体系及其光电探测技术开发方面形成研究特色，开创了具有自主知识产权的阴阳离子共掺氧化锌四元合金，氧化锡、氧化镓基超宽禁带氧化物合金半导体材料体系，实现了氧化物合金能带的自由调控和带隙大范围的裁剪，突破了氧化锌、氧化锡的稳定p型掺杂技术瓶颈，开发出新型准同质p-n结型自驱动紫外探测器和超灵敏极快速日盲紫外光探测器。同时，开发出钙钛矿氧化物高温压电陶瓷材料及传感技术，并将其应用于压电传感器和高压放大器。

张兴旺

中国科学院半导体所研究员

张兴旺，中国科学院半导体所研究员，主要从事宽带隙半导体材料与器件、二维材料与光电器件及光伏材料与器件研究。发展了一种制备六方氮化硼（h-BN）二维原子晶体的新方法，研制出多种二维异质结光电器件；实现了基于h-BN中间层的远程外延，为制备高质量二维范德华异质结提供了一种新方法。首次成功制备出异质外延生长的立方氮化硼（c-BN）薄膜，为实现c-BN薄膜作为高温电子材料奠定了基础。领导的课题组两次创造有机无机钙钛矿太阳电池效率的世界纪录，研制出高效稳定的无机钙钛矿电池以及钙钛矿LEDs。已主持或承担国家重点研发计划、科技部863、973计划、自然科学基金以及中科院战略先导计划等项目20余项，在Nature Mater., Nature Energy, Nature Photon., Nature Commun., Adv. Mater.等学术期刊发表SCI论文185篇，论文被他引10000余次，获授权发明专利23项；曾获北京市科学技术进步二等奖、中科院优秀导师奖（3次）、中国科学院朱李月华优秀教师奖、领雁银奖等，指导的研究生3人获中科院优秀博士学位论文，6人获中科院院长奖，7人获中科院优秀毕业生，多人次获国家奖学金。

刘新风

国家纳米科学中心研究员

中科院纳米标准与检测重点实验室副主任

刘新风，中科院“百人计划”研究员，中科院纳米标准与检测重点实验室副主任。2011年于国家纳米科学中心获博士学位。2015年中科院海外人才计划加入国家纳米科学中心，2021年获中组部人才计划支持。研究方向为半导体材料微纳尺度光与物质相互作用光谱和物化性质性研究。近年来在Science, Nat. Mater., Nat. Commun., Adv. Mater., Nano Lett.等期刊上发表论文220余篇，总引用15600余次，H因子64。合著英文专著章节4章。担任Nat. Nanotech., Sci. Adv., Nano Lett., Adv. Mater.等国际学术期刊审稿人。任Journal of Physics: Photonics编委会委员，Frontiers of Physics，InfoMat, Materials Today Physics, Materials Today Sustainability青年编委。

宋柏

北京大学工学院特聘研究员

宋柏研究员现就职于北京大学工学院能源与资源工程系、先进制造与机器人系、能源研究院、微米/纳米加工技术国家级重点实验室，以及北京市工程科学与新兴技术高精尖创新中心。他于清华大学获得学士和硕士学位，美国密歇根大学获得博士学位，麻省理工学院完成博后工作。在基础理论、实验平台和先进材料方面都取得突破，并有望在能源、信息和生医等领域产生颠覆性技术。近年来有四篇论文发表于Science和Nature，六篇在Nature Nanotechnology等子刊发表。2020年于前沿交叉领域获得腾讯基金会第二届“科学探索奖”。

付昊

苏州思体尔软件科技有限公司（STR-CHINA）副总经理

付昊，现任苏州思体尔软件科技有限公司（STR-CHINA）副总经理，硕士毕业于哈尔滨工业大学能源化学工程专业，拥有超过10年模拟仿真软件使用经验，长期和国内知名半导体企业和研究机构合作，拥有丰富的模拟仿真领域项目合作经验。

卢红亮

复旦大学微电子学院教授

卢红亮教授于2010年7月进入复旦大学微电子学院，主要研究方向为用于新一代集成电路工艺、器件和智能传感器件。同时，他作为第一负责人承担30多项研究项目，在国内外学术期刊上发表SCI论文200多篇, 包括Advanced Materials、Nano Energy、ACS Nano、Applied Physics Letters和IEEE Electron Device Letters等期刊。现任IEEE会员、中国ALD大会秘书、上海市真空学会常务理事、上海市电子学会会员等。

杨珣

郑州大学副教授

杨珣，郑州大学副教授，硕士研究生导师。博士毕业于中科院长春光学精密机械与物理研究所，2017年入职郑州大学物理学院金刚石光电材料与器件课题组。主要从事宽禁带半导体光电器件、金刚石量子信息材料研究。近年来在Adv. Mater.，Nano Res.，Mater.Horiz.，Mater. Today Phys.，Carbon等期刊以第一作者或通讯作者发表论文20余篇，先后主持国家重点研发计划子课题、国家自然科学基金青年项目、中国博士后科学基金特别资助等项目。

穆文祥

山东大学副教授

穆文祥，山东大学副教授，博士生导师。2013年和2018年分别获得山东大学理学学士和工学博士学位，师从陶绪堂教授。致力于超宽禁带半导体β-Ga2O3单晶的生长、衬底加工、性能优化及器件研究。设计、优化了导模法单晶生长装备，从无到有生长获得了高质量、大尺寸β-Ga2O3单晶，与国内外相关单位开展合作，获得了高性能半导体器件。研究工作获得了国家重点研发计划、国家自然基金重点项目、山东省重大科技创新工程等一系列重大项目资助。以上述工作为基础，参与建设国家级平台“新一代半导体材料集成攻关大平台”及山东大学济南宽禁带半导体产业研究院。发表学术论文30篇，授权发明专利3项。研究领域：氧化镓单晶生长与电学性能调控；单晶衬底加工与器件；新型半导体材料探索；激光、磁光、铁电等功能晶体生长与表征。

张赫之

大连理工大学副教授

张赫之副教授于2016年博士毕业于法国巴黎第十一大学，师从Maria Tchernycheva研究员。同年加入瑞士洛桑理工大学Nicolas Grandjean教授研究组从事博士后研究工作。2019年10月，加入大连理工大学微电子学院梁红伟教授宽禁带半导体研究团队。目前，主要从事超宽禁带半导体Ga2O3材料生长与器件的相关研究。

备注：更多嘉宾信息持续更新，敬请关注！

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论坛信息

会议时间：2023年2月7日-10日（7日报到）

会议地点：中国 - 苏州 - 苏州金鸡湖凯宾斯基大酒店

程序委员会

主席：

张   荣——厦门大学党委书记、教授

联合主席：

刘   明——中科院院士、复旦大学芯片与系统前沿技术研究院院长、中科院微电子研究所研究员

顾   瑛——中科院院士、解放军总医院教授

江风益——中科院院士、南昌大学副校长、教授

李晋闽——中国科学院特聘研究员

张国义——北京大学东莞光电研究院常务副院长、教授

沈   波——北京大学理学部副主任、教授

唐景庭——中国电子科技集团公司第二研究所所长

徐   科——江苏第三代半导体研究院院长、中科院苏州纳米所副所长、研究员

邱宇峰——厦门大学讲座教授、全球能源互联网研究院原院长

盛   况——浙江大学电气工程学院院长、教授

张   波——电子科技大学教授

陈   敬——香港科技大学教授

徐现刚——山东大学新一代半导体材料研究院院长、教授

吴伟东——加拿大多伦多大学教授

张国旗——荷兰工程院院士、荷兰代尔夫特理工大学教授

Victor Veliadis——PowerAmerica首席执行官兼首席技术官、美国北卡罗莱纳州立大学教授

主题论坛召集人（按姓氏拼音排列）：

F1-碳化硅功率电子材料与器件

主题分论坛主席：

盛   况——浙江大学电气工程学院院长、教授

唐景庭——中国电子科技集团公司第二研究所所长

a.碳化硅功率电子材料与器件

召集人：

盛   况——浙江大学电气工程学院院长、教授

柏   松——中国电子科技集团公司第五十五研究所研究员

张清纯——复旦大学上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任

邱宇峰——厦门大学讲座教授、全球能源互联网研究院原院长

张玉明——西安电子科技大学微电子学院院长、教授

王德君——大连理工大学教授

袁   俊——九峰山实验室功率器件负责人

b.芯片制造工艺及装备

召集人：

唐景庭——中国电子科技集团公司第二研究所所长

王志越——中电科装备集团有限公司首席技术官

杜志游——中微半导体设备(上海)有限公司高级副总裁

吴   军——北方华创科技集团股份有限公司副总裁，首席科学家

F2-氮化物半导体电子材料与器件

主题分论坛主席：

张   波——电子科技大学教授

吴伟东——加拿大多伦多大学教授

陈堂胜——中国电子科技集团公司第五十五研究所首席科学家

冯志红——中电科第十三所首席科学家、专用集成电路国家级重点实验室副主任

a.氮化镓功率电子材料与器件

召集人：

张  波——电子科技大学教授

吴伟东——加拿大多伦多大学教授

刘  扬——中山大学教授

孙  钱——中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员

张进成——西安电子科技大学副校长、教授

吴毅锋——珠海镓未来科技有限公司总裁

梁辉南——润新微电子(大连)有限公司总经理

王茂俊——北京大学信息科学技术学院副教授

b.射频电子材料与器件

召集人：

陈堂胜——中国电子科技集团公司第五十五研究所首席科学家

蔡树军——中国电子科技集团公司第五十八研究所所长

张乃千——苏州能讯高能半导体有限公司董事长

张  韵——中国科学院半导体研究所副所长、研究员

敖金平——日本德岛大学教授、江南大学教授

于洪宇——南方科技大学深港微电子学院院长、教授

冯志红——中电科第十三所首席科学家、专用集成电路国家级重点实验室副主任

刘建利——中兴通讯股份有限公司无线射频总工

F3-功率电子应用

主题分论坛主席：

刘    胜——武汉大学动力与机械学院院长、教授

赵丽霞——天津工业大学电气工程学院常务副院长、教授

a.功率模块封装及可靠性

召集人：

刘   胜——武汉大学动力与机械学院院长、教授

赵丽霞——天津工业大学电气工程学院常务副院长、教授

李世玮——香港科技大学教授

陆国权——美国弗吉尼亚大学教授

罗小兵——华中科技大学能源与动力工程学院院长、教授

杨道国——桂林电子科技大学教授

王来利——西安交通大学教授

樊嘉杰——复旦大学青年研究员

姜  克——安世半导体全球研发副总裁、I&M事业部总经理

F4-衬底材料与装备

主题分论坛主席：

沈    波——北京大学理学部副主任、教授

徐现刚——山东大学新一代半导体材料研究院院长、教授

陶绪堂——山东大学讲席教授

唐景庭——中国电子科技集团公司第二研究所所长

a.碳化硅衬底材料生长与加工

召集人

徐现刚——山东大学新一代半导体材料研究院院长、教授

陈小龙——中国科学院物理研究所功能晶体研究与应用中心主任、研究员

孙国胜——中科院半导体研究所研究员

冯  淦——瀚天天成电子科技（厦门）有限公司总经理

b.氮化物衬底材料生长与同质外延

召集人：

沈  波——北京大学理学部副主任、教授

徐  科——江苏第三代半导体研究院院长、中科院苏州纳米所副所长、研究员

黎大兵——中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研究员

毕文刚——江苏第三代半导体研究院副院长

杨  敏——江苏南大光电材料股份有限公司首席技术官

c.超宽禁带半导体材料与器件

召集人:

陶绪堂——山东大学讲席教授

龙世兵——中国科学技术大学微电子学院执行院长、教授

张进成——西安电子科技大学副校长、教授

单崇新——郑州大学副校长、教授

王新强——北京大学教授、北大东莞光电研究院院长

王宏兴——西安交通大学教授

叶建东——南京大学教授

刘玉怀——郑州大学教授

韩根全——西安电子科技大学教授

d.生长、加工装备与量测设备

召集人：

唐景庭——中国电子科技集团公司第二研究所所长

王志越——中电科装备集团有限公司首席技术官

杜志游——中微半导体设备(上海)有限公司高级副总裁

吴  军——北方华创科技集团股份有限公司副总裁，首席科学家

F5-半导体照明与光电融合技术

主题分论坛主席：

江风益——中科院院士、南昌大学副校长、教授

曾一平——中科院半导体所研究员

a.全光谱LED材料、芯片、封装及可靠性

召集人：

江风益——中科院院士、南昌大学副校长、教授

刘国旭——北京易美新创科技有限公司联合创始人兼CTO

云  峰——西安交通大学教授

罗小兵——华中科技大学能源与动力工程学院院长、教授

伊晓燕——中国科学院半导体研究所研究员

郭伟玲——北京工业大学教授

汪  莱——清华大学电子工程系副教授、信息光电子研究所所长

汪炼成——中南大学教授

张建立——南昌大学研究员

b.半导体激光器

召集人：

曾一平——中科院半导体所研究员

张保平——厦门大学电子科学与技术学院副院长、教授

莫庆伟——老鹰半导体副总裁、首席科学家

刘建平——中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员

惠   峰——云南锗业公司首席科学家、中科院半导体所研究员

F6-超越照明创新应用

主题分论坛主席：

罗  明——浙江大学光电系教授

瞿  佳——温州医科大学附属眼光医院院长、教授

顾  瑛——中科院院士、解放军总医院教授

迟  楠——复旦大学信息科学与工程学院院长、教授

杨其长——国际欧亚科学院院士、中国农业科学院都市农业研究所副所长、研究员

刘  鹰——浙江大学生物系统工程与食品科学学院院长、教授

a.光品质与光健康

召集人

罗  明——浙江大学光电系教授

瞿   佳——温州医科大学附属眼光医院院长、教授

郝洛西——同济大学建筑与城市规划学院教授、国际照明学会（CIE）副主席

林燕丹——复旦大学教授

熊大曦——中国科学院苏州生物医学工程技术研究所研究员

牟同升——浙江大学教授

魏敏晨——香港理工大学副教授

蔡建奇——中国标准化研究院视觉健康与安全防护实验室主任、研究员

刘  强——武汉大学颜色科学与图像传播研究所所长、副教授

b.光医疗

召集人：

顾   瑛——中科院院士、解放军总医院教授

张凤民——黑龙江省医学科学院副院长，哈尔滨医科大学伍连德书院院长、国家地方联合工程研究中心主任

王彦青——复旦大学基础医学院教授

崔锦江——中科院苏州医工所光与健康研究中心副主任、研究员

蔡本志——哈尔滨医科大学教授

董建飞——中国科学院苏州生物医学工程技术研究所研究员

陈德福——北京理工大学医工融合研究院特聘副研究员

杨   华——中国科学院半导体研究所副研究员

c.光通信与传感

召集人：

迟   楠——复旦大学信息科学与工程学院院长、教授

马骁宇——中科院半导体研究所研究员

陈雄斌——中国科学院半导体研究所研究员

田朋飞——复旦大学副研究员

李国强——华南理工大学教授

林维明——福州大学教授

房玉龙——中国电子科技集团公司第十三研究所研究员

d.生物与农业光照

召集人：

杨其长——国际欧亚科学院院士、中国农业科学院都市农业研究所副所长、研究员

唐国庆——中关村半导体照明工程研发及产业联盟副理事长、木林森执行总经理

刘   鹰——浙江大学生物系统工程与食品科学学院院长、教授

泮进明——浙江大学教授、杭州朗拓生物科技有限公司董事长

贺冬仙——中国农业大学教授

陈   凯——华普永明光电股份有限公司董事长、总裁

华桂潮——四维生态董事长

徐  虹——厦门通秮科技有限公司总经理

刘厚诚——华南农业大学教授

李绍华——中科三安光生物产业研究院院长

F7-新型显示材料及应用

主题分论坛主席：

严  群——福州大学教授

孙小卫——南方科技大学电子与电气工程系讲席教授

毕   勇——中国科学院理化技术研究所研究员、激光应用中心主任

a.Mini/Micro-LED显示材料与装备

召集人：

严   群——福州大学教授

王新强——北京大学东莞光电研究院院长、北京大学教授

闫春辉——中民研究院常务副院长、纳微朗科技（深圳）有限公司董事长

刘   斌——南京大学电子科学与工程学院副院长、教授

黄   凯——厦门大学物理科学与技术学院副院长、教授

马松林——TCL集团工业研究院副院长

刘国旭——北京易美新创科技有限公司联合创始人兼CTO

邱   云——京东方科技集团股份有限公司技术企划部副总监

刘召军——南方科技大学研究员

b.激光显示三基色材料与器件

毕   勇——中国科学院理化技术研究所研究员、激光应用中心主任

赵德刚——中国科学院半导体研究所研究员

c.钙钛矿、量子点及柔性照明与显示等

召集人：

孙小卫——南方科技大学电子与电气工程系讲席教授

廖良生——苏州大学教授

徐   征——北京交通大学教授

段   炼——清华大学教授

钟海政——北京理工大学教授

F8-固态紫外材料与器件

主题分论坛主席：

康俊勇——厦门大学教授

王军喜——中国科学院半导体研究所研究员、中科院半导体照明研发中心主任

a.固态紫外发光材料与器件

b.紫外探测材料与器件

召集人：

康俊勇——厦门大学教授

王军喜——中国科学院半导体研究所研究员、中科院半导体照明研发中心主任

黎大兵——中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研究员

陆   海——南京大学教授

陈长清——华中科技大学教授

郭浩中——台湾交通大学特聘教授

李晓航——沙特国王科技大学副教授

许福军——北京大学物理学院副教授

日程安排

注册权益收费表

备注：

＊中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）或第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）成员单位在此基础上再享受10%优惠。

＊学生参会需提交相关证件。

＊会议现场报到注册不享受各种优惠政策。

＊IFWS相关会议包括：开幕大会，碳化硅衬底材料生长与加工,碳化硅功率电子材料与器件,氮化物衬底材料生长与外延技术,氮化镓功率电子材料与器件,固态紫外材料与器件,化合物半导体激光器技术,Mini/Micro LED及其他新型显示技术,射频电子材料与器件,超宽禁带及其他新型半导体材料与器件，闭幕大会。

＊SSLCHINA相关会议包括：开幕大会，氮化物衬底材料生长与外延技术，固态紫外材料与器件，LED芯片、封装与光通信，Mini/Micro LED及其他新型显示技术，生物农业光照技术，教育照明与健康光环境，光医疗应用技术，化合物半导体激光器技术,闭幕大会。

*产业峰会包括：生物农业光照技术与产业应用峰会、车用半导体创新合作峰会、功率模块与电源应用峰会、第三代半导体标准与检测研讨会、UV LED创新应用、Mini/Micro-LED技术产业应用峰会。

＊若由于某些原因，您缴费后无法参会，可办理退款事宜，组委会将扣除一定的退款手续费。

＊自助餐包含：2023年2月8日午餐、2月9日午餐+晚餐。

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*备注：请微信扫码查看并注册，注册成功后可在个人中心查看电子票信息、申请发票、为他人报名、分享海报等等。

*防疫提醒：目前全国各地防疫政策逐渐放宽，目前进/出苏州不再查验健康码，但不排除个别城市出行仍查验48小时核酸阴性证明，组委会提醒参会代表临行前能尽量测验一下核酸，核酸/体温无异常者，持绿色健康码现场参会。

即日起至2023年2月1日之前，完成注册缴费即可享受折扣票（详见上图），中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）或第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）成员单位在此基础上再享受10%优惠。学生参会需提交相关证件。会议现场报到注册不享受各种优惠政策。