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“氮化镓射频电子器件与应用分会”上，深圳市汇芯通信技术有限公司、国家5G中高频器件创新中心副总经理、CTO 许明伟做了“FLAB：特色射频半导体的技术创新模式探索”的主题报告，分享了国家5G中高频器件创新中心FLAB三代特色半导体工艺技术创新的新模式，包括硬件建设、软件建设、开发体系、技术路线等。

“氮化镓射频电子器件与应用”技术分会上，香港科技大学高通光学实验室主任、教授、高武半导体（香港）有限公司创始人俞捷，小米通讯技术有限公司高级硬件研发工程师孙跃，中国科学技术大学微电子学院教授、安徽云塔电子科技有限公司创始人左成杰，西安电子科技大学教授薛军帅，深圳市汇芯通信技术有限公司、国家5G中高频器件创新中心副总经理、CTO许明伟，苏州能讯高能半导体有限公司研发总监张新川，中国科学院半导体研究所副研究员张连，九峰山实验室熊鑫，江南大学集成电路学院博士刘涛，中国科学院微电子研究所张国祥等嘉宾们带来精彩报告

西安电子科技大学副校长、教授张进成将出席论坛，并将带来《高功率宽禁带半导体射频器件研究进展》的大会报告。

作为IFWS的重要技术分会之一的“ 氮化镓射频电子器件与应用”分会最新报告日程正式出炉！

作为IFWS的重要分会之一的“ 氮化镓射频电子器件与应用”分会最新报告日程正式出炉，将有来自将有香港科技大学高通光学实验室、高武半导体，小米通讯技术，汇芯通信/国家5G中高频器件创新中心，中国科学技术大学、云塔电子，能讯高能半导体，中国科学院半导体研究所，九峰山实验室，江南大学，中国科学院微电子研究所的专家们分享精彩主题报告。

据云塔科技消息，1月15日，中国科学技术大学微电子学院孙海定教授牵头的国家重点研发计划战略性科技创新合作重点专项基于第三代

2023年11月28日，第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）于厦门国际会议中心盛大开幕。

氮化镓（GaN）功率器件具有高击穿场强、高热导率、低导通和开关损耗、射频功率放大器、直流至直流（DC-DC）变换器、薄膜和二维Ga

近日，中国科学院上海微系统所魏星研究员团队在300 mm SOI晶圆制造技术方面取得突破性进展，制备出了国内第一片300 mm射频（RF）

随着硅半导体材料主导的摩尔定律逐渐走向其物理极限，以第三代半导体为代表的化合物半导体满足光电子、微波射频和高效功率电子等

以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等为代表的第三代先进半导体器件是全球智能、绿色、可持续发展的重要支撑力量，其在光电子，射频

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　　又一家射频前端芯片独角兽即将登陆A股科创板。　　上交所官网显示，广州慧智微电子股份有限公司（简称：慧智微）目前已经通

半导体产业网获悉：8月12日，能讯半导体受邀参展2022 EDICON Across China北京大会。会议现场，能讯半导体射频产品中心总监刘鑫

氮化镓射频及功率器件项目桩基开工。这个项目总投资25亿元，占地111.35亩，分两期实施，全部达产后预计实现年销售30亿元以上，可进一步推动嘉兴集成电路新一代半导体产业。

　第三代半导体产业技术研究院是总投资25亿元的博方嘉芯氮化镓射频及功率器件项目快速推进的又一大重要举措，该项目已于本月3日在2020年一季度重大项目集中开竣工活动期间顺利开工。