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近日，“2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”在重庆召开。期间，“分论坛二：氮化镓及其他功率半导体技术及应用“上，浙江大学教授、杭州镓仁半导体有限公司董事长张辉，带来了“大尺寸高质量氧化镓单晶材料进展”主题报告。

2月28日，“2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”，分论坛二：氮化镓及其他功率半导体技术及应用”，围绕氮化镓、氧化镓功率半导体技术及应用，氮化镓、金刚石功率半导体技术及应用，氮化镓、氧化镓及金刚石功率半导体制造关键技术及装备等热点主题与方向深入分享探讨。

近日，浙江大学集成电路学院柯徐刚研究员团队，提出了一款工业级可量产、应用于大功率AI数据中心的基于第三代半导体氮化镓的高效

2025年2月24日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过1项硅衬底

2月26-28日，“2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”将在重庆山城国际会议中心举办。华南师范大学研究员王幸福受邀将出席论坛，并带来《压电电子学调控氮化镓异质结电子气及HEMT器件特性》的主题报告，敬请关注！

2月26-28日，“2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”将在重庆山城国际会议中心举办。杭州云镓半导体科技有限公司器件研发经理李茂林受邀将出席论坛，并带来《氮化镓功率器件与工业级应用前景》的主题报告，敬请关注！

香港科技大学电子与计算机工程系陈敬教授课题组，在第70届国际电子器件大会（IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2024）上报告了多项基于宽禁带半导体氮化镓，碳化硅的最新研究进展。研究成果覆盖功率器件技术和新型器件技术.

在氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMTs）结温高精度测试方面实现新进展，该研究提出的多波长激光瞬态热反射（MWL-TTR）技术，成功实现亚微米级空间分辨、纳秒级时间分辨的沟道温度精准监测。

北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所、宽禁带半导体研究中心、人工微结构和介观物理国家重点实验室、纳光电子前沿科学中心杨学林、沈波团队在氮化镓外延薄膜中位错的原子级攀移动力学研究上取得重要进展。

官员们正在确定哪些设备需要获得出口至中国的许可。

英诺赛科作为全球第三代半导体氮化镓的领导者针对数据中心领域，开发了多系列分立和集成氮化镓产品，能够最大限度提升效率，减少能源浪费。

今天上午9时30分随着钟声敲响从吴江走出的全球氮化镓龙头英诺赛科成功登陆港交所成为港股第三代半导体第一股12月30日，英诺赛科

中国氮化镓晶圆制造商英诺赛科（02577.HK）启动招股，并将于2024年12月23日结束招股。

“氮化镓功率电子器件技术III”的分会上，嘉宾们齐聚，共同探讨氮化镓功率电子器件技术进展与发展趋势。

“氮化镓功率电子器件技术II”分会上，嘉宾们带来精彩报告，共同探讨氮化镓功率电子器件技术发展。

据先导科技集团官微消息，日前，由先导科技集团旗下先导光电子事业部牵头的安徽省科技创新攻坚计划-氮化镓蓝光装备的全链条国产

”氮化镓功率电子器件技术 I“分会上，嘉宾们齐聚一堂，共同探讨氮化镓功率电子器件技术发展。

清华大学罗毅院士课题组与安徽格恩半导体有限公司合作，通过深入研究GaN同质外延过程中的位错控制、InGan/GaN多量子阱的应力调控以及腔面镀膜技术，制备了高效的GaN蓝光激光二极管。

北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所、人工微结构和介观物理国家重点实验室、纳光电子前沿科学中心王新强教授与北京大学电子显微镜实验室王涛高级工程师探测到褶皱二维氮化镓（GaN）的声子行为。

11月28日，中国证监会国际合作司发布关于英诺赛科（苏州）科技股份有限公司境外发行上市备案通知书