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扬杰科技申请“一种提高可靠性能力的碳化硅二极管及其制备方法”专利,提高器件的高压 H3TRB 的可靠性

发表于:2024-09-12 来源:半导体产业网 编辑:

天眼查知识产权信息显示,扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种提高可靠性能力的碳化硅二极管及其制备方法“,公开号 CN202410712262.4,申请日期为 2024 年 6 月。

专利摘要显示,一种提高可靠性能力的碳化硅二极管及其制备方法,涉及半导体技术领域。通过改变无机钝化层的组成结构,设计成了 SiO2、SiN、SiO2 三明治的结构,其中每层 SiO2 的厚度不小于 200nm,SiN 的厚度不小于 600nm,上层为有机钝化层。类似三明治的三层结构使得器件在高压的 H3TRB 可靠性项目中能够更好得到保护,在高压的 H3TRB 项目中,随着项目的进行,三层结构的无机钝化层可以保证器件在实验过程中更好的隔绝水汽,保护碳化硅外延层,从而提高器件的高压 H3TRB 的可靠性。

 

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