2024年4月26日，“2024功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2024）”在成都开幕。会议在电子科技大学和第三代半导体产业技术创新战略联盟指导下，由电子薄膜与集成器件国家重点实验室、电子科技大学集成电路研究中心、成都信息工程大学、极智半导体产业网、第三代半导体产业、中国电源学会元器件专业委员会共同主办，北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办，成都氮矽科技有限公司协办。论坛会议内容涵盖宽禁带碳化硅和氮化镓为代表的高压及低压等电力电子器件、功率集成电路、封装等几大主题，将覆盖晶圆造、芯片设计、芯片加工、模块封装、测试分析、软件工具、设备制造、整机应用等产业链各环节。
本次会议除开幕大会外，两天时间里，还设置了两大平行论坛，围绕“硅基、化合物功率器件设计及集成应用”、“高压器件设计、集成及封装应用“等主题方向，来自高校科研院所以及产业链企业的实力派嘉宾代表将深入研讨，携手促进功率与光电半导体器件设计及集成应用发展。
日前，会议日程出炉，详情如下：
总体日程安排
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时间 |
主要安排 |
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4月27日 |
09:00-20:00 |
报到&资料领取 |
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11:00-13:30 |
自助午餐 |
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13:30-17:30 |
开幕大会暨主旨报告 |
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19:00-21:00 |
欢迎晚宴 |
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4月28日 |
08:30-12:00 |
分论坛1： |
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12:00-13:30 |
自助午餐&交流 |
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13:30-18:00 |
分论坛1： |
分论坛2： |
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备注：仅供参考，以现场为准。 |
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时间 |
题目 |
报告人 |
主持人 |
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4月27日 开幕大会及主旨报告 13:30-18:00 |
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13:30-13:50 |
嘉宾致辞
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13:50-14:20 |
第三代半导体产业发展现状及展望 |
赵璐冰---第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长 |
周 琦 电子科技大学教授
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14:20-14:50 |
氮化镓功率器件结构、驱动和电源应用 |
罗小蓉 —— 成都信息工程大学副校长、电子科技大学教授、 |
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14:50-15:20 |
大规模碳化硅功率器件制造探索
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相 奇 —— 芯粤能半导体首席技术官 |
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15:20-15:35 |
Cofee break/茶歇 |
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15:35-16:05 |
硅基脉冲功率器件
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陈万军 电子科技大学 集成电路科学与工程学院副院长 教授 |
赵璐冰 第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长 |
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16:05-16:35 |
碳化硅功率半导体器件与变换器封装集成技术研究 |
王来利 西安交通大学系主任、教授 西安交通大学绍兴市通越宽禁带半导体研究院院长 |
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16:35-17:05 |
高密度IGBT实现技术 |
孟繁新 成都森未科技有限公司首席专家、成都高投芯未半导体有限公司CTO |
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17:05-18:00 Panel Discussion/圆桌对话
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19:00-21:00 欢迎晚宴 |
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4月28日 8:30-12:00 13:30-18:00 分论坛1：硅基、化合物功率器件设计及集成应用 |
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8:30-8:50 |
ICT场景下中低压(<200V) GaN器件应用挑战 |
包琦龙 海思半导体功率半导体器件部技术专家 |
周琦 电子科技大学教授
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8:50-9:10 |
PGaN增强型GaN功率器件设计与仿真技术 |
刘 勇 成都氮矽科技有限公司资深GaN器件总监 |
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9:10-9:30 |
GaN功率半导体器件仿真建模与制备研究
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张紫辉 广东工业大学教授 |
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9:30-9:50 |
氮化镓功率器件开关安全工作区的研究 |
蒋其梦 中国科学院微电子所研究员
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9:50-10:10 |
氮化镓异质界面温升表征方法
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张亚民 北京工业大学副教授
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10:10-10:25 |
茶歇-Coffee break |
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10:25-10:55 |
高速低损耗SOI LIGBT新结构与机理研究
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魏 杰 电子科技大学研究员 |
周弘 西安电子科技大学教授
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10:55-11:15 |
非晶氧化物半导体功率器件：理论极限和初步实现 |
周贤达 广东工业大学副教授
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11:15-11:35 |
Ga-O原子间势函数及其应用研究
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化梦媛 南方科技大学助理教授 |
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11:35-11:50 |
高功率氧化镓肖特基二极管研究 |
韩仕达 中国电子科技集团公司第十三研究所 工程师 |
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11:55-12:10 |
一种新型氮化镓基发光高电子迁移率晶体管：面向高分辨率显示与高速光通信
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任开琳 上海大学副教授 |
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12:00-13:30 午餐自助 |
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13:30-13:50 |
金刚石半导体材料及功能器件研究
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朱嘉琦 哈尔滨工业大学教授 |
罗鹏 氮矽半导体总经理 |
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13:50-14:10 |
金刚石半导体器件可靠性新机制 |
徐跃杭 电子科技大学教授、电子科技大学长三角研究院（湖州）集成电路与系统中心主任 |
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14:10-14:30 |
高K介质在横向功率器件中的应用 |
姚佳飞 南京邮电大学南通研究院执行副院长姚佳飞 |
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14:30-14:50 |
新型功率半导体器件在新基建中的应用 |
林书勋 成都海威华芯科技有限公司生产总监 |
潘岭峰 莱普科技副总经理 |
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14:50-15:10 |
用于功率转换系统的氮化镓单片集成
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刘 雯 西交利物浦大学高级副教授 |
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15:10-15:30 |
肖特基型p-GaN栅HEMT的栅极抗静电鲁棒性
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孙佳慧 香港科技大学助理教授 |
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15:30-15:45 |
Coffee Break/茶歇
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15:45-16:05 |
如何使GaN功率器件如Si MOSFET一样简单易用？ |
魏 进 北京大学研究员 |
黄义 重庆邮电大学教授
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16:05-16:25 |
基于化合物半导体异质结的高性能器件设计与制备 |
巫 江 电子科技大学基础与前沿研究院副院长 |
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16:25-16:45 |
应用于工业及汽车市场的GaN功率器件制造技术 |
刘 成 湖南三安半导体有限责任公司 研发经理 |
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16:45-17:00 |
氮化镓功率器件与工业级应用前景 |
唐高飞 云镓半导体技术总监
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明鑫 电子科技大学教授 |
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17:00-17:15 |
低损耗高耐压Si基GaN双向阻断功率器件研究 |
王方洲 松山湖材料实验室工程师 |
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17:15-17:30 |
氧化镓垂直功率半导体器件
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徐光伟 中国科学技术大学研究员
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17:30-17:45 |
高压大功率氧化镓晶体管研究 |
王晨璐 西安电子科技大学博士后
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17:45- 18:00 |
氢处理p-GaN栅器件开发与单片集成电路共设计流程
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李 帆 西交利物浦大学 |
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4 月28日 8:30-12:00 分论坛2：高压器件设计、集成及封装应用 |
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8:30-8:50 |
碳化硅MOSFET研究进展及面临的挑战 |
金 锐 北京智慧能源研究院功率半导体研究所所长 |
邓小川
电子科技大学 |
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8:50-9:10 |
SiC MOSFET 过流保护技术分析与研发 |
程新红 中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员
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9:10-9:30 |
硅基超结-功率半导体More silicon发展的主力器件 |
章文通 电子科技大学教授
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9:30-9:50 |
碳化硅功率器件的辐射效应及抗辐射技术 |
黄铭敏 四川大学副教授
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9:50-10:10 |
碳化硅MOSFET动态阈值漂移
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蒋华平 重庆大学教授 |
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10:10-10:25 |
茶歇-Coffee break |
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10:25-10:55 |
高功率密度高压DC方案改善算力系统配电效率 |
代高强 成都复锦功率半导体技术发展有限公司研发副总裁 |
王德君 大连理工大学教授
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10:55-11:15 |
IGBT的技术演进与未来发展趋势 |
张金平 电子科技大学研究员
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11:15-11:35 |
先进键合集成技术与应用 |
母凤文 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司董事长 |
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11:35-11:55 |
在功率变换器中电流检测的挑战
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严颖怡 电子科技大学教授 |
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11:55-12:10 |
基于多层级多场域的压接型IGBT模块失效演化机制研究 |
刘人宽 电子科技大学博后 |
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12:00-13:30 午餐自助 |
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13:30-13:50 |
SiC半导体表界面缺陷及MOS器件可靠性
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王德君 大连理工大学教授 |
张金平 电子科技大学研究员
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13:50-14:10 |
碳化硅先进封装及全铜化技术 |
叶怀宇 南方科技大学副教授
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14:10-14:30 |
3C/4H-SiC异构结场效应器件的构建和模拟 |
韦文生 温州大学教授
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14:30-14:50 |
高可靠性车载sic功率器件是高质量国产替代的关键 |
高 巍 蓉矽半导体副总经理 |
叶怀宇
南方科技大学副教授
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14:50-15:10 |
SiC MOSFET浪涌可靠性的研究
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何艳静 西安电子科技大学副教授 |
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15:10-15:25 |
光控型SiC功率器件的理论与实验研究 |
王 曦 西安理工大学自动化与信息工程学院 院长助理 |
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15:25-15:40 |
Coffee Break/茶歇 |
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15:40-16:00 |
基于傅里叶乘法特性的高可靠性无半桥直流无刷电机驱动电路研究 |
李俊宏 电子科技大学集成电路科学与工程学院 副教授 |
程新红
中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员
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16:00-16:20 |
碳化硅功率MOSFET器件及其可靠性研究 |
魏家行 东南大学集成电路学院副教授 |
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16:20-16:40 |
基于工艺的IGBT动静态参数TCAD建模研究 |
刘 盼 复旦大学副教授，上海碳化硅功率器件工程技术研究中心副主任 |
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16:40-17:00 |
SiC功率模块封装烧结互连技术 |
刘 洋 哈尔滨理工大学教授 |
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17:00-17:15 |
碳化硅MOSFET的第三象限特性研究 |
李 旭 电子科技大学博士生 |
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17:15-17:30 |
SiC MOS器件偏压温度应力可靠性劣化的缺陷物理机制 |
崔鹏飞 大连理工大学 |
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17:30-17:45 |
集成4H-SiC/Si空穴控制结和半超结的FS-IGBT
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汪子盛 温州大学 |
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会议时间：2024年4月26-28日
会议地点：四川·成都·成都金韵酒店六层
组织机构：
指导单位：
电子科技大学
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
主办单位：
电子薄膜与集成器件全国重点实验室
成都信息工程大学
电子科技大学集成电路研究中心
极智半导体产业网（www.casmita.com）
第三代半导体产业
中国电源学会元器件专业委员会
承办单位
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
协办支持：
成都氮矽科技有限公司
程序委员会：
大会主席：张波
程序委员会主席：罗小蓉
副主席：赵璐冰 周琦
程序委员会：邓小川 龙世兵 王来利 明鑫 杨树 刘斯扬 郭清 魏进 金锐 周春华 刘成 蒋其梦 高巍 包琦龙 潘岭峰 叶怀宇 刘雯 张召富 李虞锋 魏杰等
拟参与单位：
电子科技大学、成都信息工程大学、中芯国际、三安半导体、浙江大学、中国科学技术大学、东南大学、西安电子科技大学、西安交通大学、清华大学、西安理工大学、山东天岳、科友半导体、国星光电、ULVAC、华虹半导体、斯达半导体、蓉矽半导体、阳光电源、扬杰科技、英飞凌、北京大学、厦门大学、中科院半导体所、南京大学、中科院微电子所、长飞半导体、华为、海思半导体、锴威特、基本半导体、中电科四十六所、中电科五十五所、天津大学、华大九天、西门子、博世、三环集团、中科院微电子所、中镓半导体、日立、江苏宏微、苏州晶湛、百识电子、国家电网、华大半导体、意法半导体、中博芯、西安爱科赛博 、小鹏汽车、复旦大学、东莞天域、比亚迪半导体、西安西驰电气、理想汽车、英诺赛科、士兰微、芯迈半导体、中国科学院电工所、立昂微电子、长川科技、众硅电子、莱普科技、海威华芯、麦科信、安徽大学、云镓半导体， 高芯半导体……
活动参与：
注册费2800元，4月18日前注册报名2500元（含会议资料袋，27日欢迎晚宴、28日自助午餐、晚餐）。
2、缴费方式
①银行汇款
开户行：中国银行北京科技会展中心支行
账 号：336 356 029 261
名 称：北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
②移动支付
备注：通过银行汇款/移动支付，请务必备注：单位简称+姓名+成都，以便后续查询及开具发票。若需开具发票请将报名信息、转账凭证及开票信息发送至邮箱:lilyli@china-led.net。
③现场缴费（接受现金和刷卡）
报告及论文投稿联系：
贾先生18310277858，jiaxl@casmita.com
白女士18888840079，bailu@casmita.com
参会及商务合作：
贾先生 18310277858，jiaxl@casmita.com
张女士 13681329411，zhangww@casmita.com
段先生 13717922543，duanpf@casmita.com
协议酒店：
酒店名称：成都金韵酒店（成都金府路668号）
联系人 何经理 13548180263，2569807009@qq.com
协议价格：400 元/每晚（含早）