4月9日，2024九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会在武汉中国光谷科技会展中心开幕。海内外化合物半导体产业链的领军企业齐聚一堂，9位国内外院士、300多名行业领军人，以及800多家企业代表，近万人参与，共话行业前沿论题及第三代半导体技术的应用与发展，共谋合物半导体产业高质量发展的春天。
2024九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会由第三代半导体产业技术创新战略联盟、九峰山实验室共同主办。连续两届在光谷举办的这一展会，已成为国内化合物半导体领域规模最大、规格最高的标杆性盛会。
强链延链 共建化合物半导体创新生态
2024年全球半导体产业逐步复苏，进入稳步增长的发展态势，全球半导体领域资源投入达到了近几十年新的高峰，竞争趋于白热化。中国的工业化和下一步高质量发展，新材料首当其冲，新材料是所有的高端领域发展的基础和引导，是世界新型工业化在产业基础能力提升的基盘技术。以第三代半导体为代表的化合物半导体在全球信息和人员发展中发挥着和将要发挥至关重要的作用，这是我国全球半导体产业格局一个重要突破口。
中国工程院院士、国家新材料产业发展专家咨询委员会主任干勇在致辞时表示，以第三代半导体为代表的化合物半导体在全球信息和能源发展中发挥着至关重要的作用，是我国重构全球半导体产业竞争格局的重要突破口。当前我国化合物半导体产业链基本形成，有机会形成有国际竞争力的产业体系。
论坛现场，第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲发布《第三代半导体产业发展报告（2023）》，从形势政策、市场应用、生产供给、企业格局、技术进展等五大方面进行分析，并对超宽禁带半导体材料、专用装备、标准等相关进展进行总结。吴玲指出，2023年，伴随半导体产业逐渐复苏，以及电动汽车、新能源等应用市场的蓬勃发展，国内第三代半导体技术和产业取得显著进步。展望2024年，随着国内宏观经济整体复苏预期增强，第三代半导体技术对新质生产力的支撑作用日益增强，产业发展动力持续强劲。
九峰山实验室主任丁琪超发布九峰山实验室2024研发服务体系。作为湖北省十大实验室之一，以建设世界领先的化合物半导体研发和创新中心为愿景，成立3年来，九峰山实验室已在中国光谷建立起先进的化合物半导体科研及中试平台。丁琪超从材料流片服务能力和技术服务能力两个方面对实验室2024年研发服务体系进行了介绍。九峰山实验室目前已搭建起完备的材料体系，以及包含7条工艺线的量产级研发流片平台，同步提供材料、设备、EDA软件的验证服务。已具备以“异质集成”、“先进键合”、“化合物外延”、“集成微波无源器件（IPD）PDK”、“碳化硅（SiC）沟槽”、“PZT压电MEMS”、“先进检测分析”为代表的技术服务能力。“实验室希望打造公共、开放、共享的平台，与更多合作伙伴共同点亮化合物半导体平台、技术、产业的‘灯塔’。”丁琪超表示。
开幕式上，12个项目集中签约，总金额179亿元。这些项目覆盖芯片设计、制造、检测、应用等多个环节，助力光谷加快打造化合物半导体产业高地，形成完整化合物半导体全产业链。
光谷因光而兴、逐芯前行，一路芯光灿烂，获批国家光电子信息产业基地，打造了独树一帜的光电子信息产业。在集成电路领域，光谷集聚了一批链主企业，形成了以存储器为核心、化合物半导体突破性发展的产业格局。“一核三区，双轴交汇”的九峰山科技园加快建设，长飞先进、先导稀材等百亿级项目相继启动建设，化合物半导体产业从点上开花走向链上成景。
如何抢抓化合物半导体产业发展机遇，让这束光在创新中更加闪耀？7个月前，湖北省政府印发《加快“世界光谷”建设行动计划》，提出加快布局氧化镓、碳化硅等新一代半导体，推动创新链与产业链协同发展，打造全球化合物半导体创新中心。眼下，光谷正瞄准化合物半导体新赛道，抢抓化合物半导体产业发展新机遇，锻造“硬核”创新力提升产业竞争力，助力“中国光谷”加速迈向“世界光谷”。
聚势赋能 推动化合物半导体产业加速崛起
开幕大会主旨报告环节，由中国工程院院士、华中科技大学尤政，中国科学院院士、武汉大学刘胜领衔，与EV Group首席键合科学家Viorel Dragoi，英特尔实验室资深首席科学家荣海生，芯联集成电路制造股份有限公司执行副总裁刘煊杰，华为数字能源技术有限公司首席科学家黄伯宁，云南锗业公司首席科学家惠峰，NI公司副总裁Frank Heidemann，株洲中车时代电气股份有限公司中车科学家刘国友，武汉华工科技产业股份有限公司副总裁熊文、九峰山实验室领域首席科学家闫春辉等科研界、产业界代表联袂带来精彩报告，从产业、技术、趋势等不同角度全面探讨化合物半导体发展创新前沿大势。北京大学理学部副主任沈波教授与第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长兼秘书长杨富华,华中科技大学集成电路学院院长、教授缪向水共同主持了该环节。
化合物半导体产业发展正当时，随着智能数字化时代的快速发展，正在深层次带来社会、经济、技术等多个领域的伟大变革。人工智能、数据安全、6G、专网通信、车联网、电力系统等领域市场需求增长有望进一步刺激化合物半导体材料的市场规模增长。新的时代背景对化合物半导体产业全产业链带来全方位、变革性的机遇与挑战。11大主旨报告从系统、材料、技术、平台，标准、应用等角度出发，涉及智能系统技术，晶圆键合技术、硅光平台，锗、砷化镓、磷化铟半导体材料，大功率半导体技术，全彩集成氮化物Micro LED显示技术、光电子等，兼顾前瞻与务实，前沿与应用，深入解读产业链国内外最新进展、趋势，变革、挑战与机遇。
智能微系统具有尖端科技深度交叉融合，高集成度、高性能等特点。中国工程院院士、华中科技大学校长尤政做了“微系统，大作为”的主旨报告，分享了智能微系统技术的最新进展，指出MEMS、光电子，3D异质/异构集成技术是智能微系统的核心要素，并表示智能微系统是一种新质生产力的使能技术，可以催生大批升级换代甚至变革行业的新概念产品，为相关传统产业跨越式发展提供新机遇。
中国科学院院士、武汉大学教授刘胜带来了《DFX：基于数字孪生技术电力电子芯片和封装的设计与制造》的主旨报告，介绍了相关最新进展，并指出数字孪生技术与DFX工程方法的结合，能帮助芯片及封装企业快速产品迭代，实现极致可靠的产品目标。
在材料集成中，晶圆键合技术有着重要的应用，特别是在半导体器件、MEMS（微电子机械系统）和光电子器件等领域。EV Group首席键合科学家Viorel DRAGOI带来了《用于材料集成的晶圆键合技术》的主旨报告，并指出等离子体激活键合和室温共价键合两种工艺类别对于化合物半导体键合以及将化合物半导体集成到Si技术中用于光子应用都非常有前途。
英特尔研究院资深首席工程师荣海生做了“异质集成III-V/Si激光器和放大器的硅光平台”的主题报告，指出异质集成使不同的光子功能完全集成在硅光子平台上，具有高可靠性和可制造性。集成激光器和放大器的硅光子学在光通信和光互连等领域有着广泛的应用。
新能源汽车向电动化、智能化发展，电动化正迎来新一代技术突破。SiC从根源上提高电驱功率转化效率，实现整车效率飞跃。芯联集成电路制造股份有限公司执行副总裁刘煊杰分享了碳化硅的机遇与挑战，指出SiC特性使800V超充成为可能，满足特定应用场景需求。中国SiC产业有望实现换道超车。
功率半导体在新型电力系统中具有重要意义，华为数字能源技术有限公司首席科学家黄伯宁带来了”新型电力系统对功率半导体的挑战“的主题报告，并指出碳中和引发能源生产和消费革命，同时带来各行各业升级换代机会，SiC为代表的化合物功率器件与绿色能源产业需求高度共振。
锗、砷化镓、磷化铟半导体材料在半导体器件中具有重要作用，它们的特性和应用领域有所不同，但都对半导体器件的性能和功能起着关键作用。云南锗业公司首席科学家惠峰分享了锗、砷化镓、磷化铟半导体材料现状及发展，指出砷化镓和磷化铟的光模块和射频器件是目前发展的热点。磷化铟、砷化镓衬底大直径低位错关键技术突破进程加快，高品质、高均匀性性、低缺陷衬底需求剧增。
National Instruments (NI) 全球副总裁，技术负责人Frank HEIDEMANN分享了“汽车行业的可靠性-可靠性标准以及AQG 324对半导体鉴定的意义”的主题报告，指出汽车行业需要一个通用的、可接受的、精确的、针对特定应用的可靠性标准，AQGs工作组正在与全球标准化机构进行长期和深入的交流，以使行业具有最大的价值。
功率半导体是电能转换与控制的核心芯片，是支撑交通与能源领域“双碳”战略的基础。株洲中车时代电气股份有限公司中车科学家刘国友介绍了“大功率半导体技术进展与挑战”，分享了最新技术进展，挑战涉及材料长晶与缺陷控制、芯片异质外延、模块混合封装等。
随着大模型训练走向深入，AI落地到应用场景正在爆发式发展。华工科技产业股份有限公司党委委员、副总裁熊文分享了“化合物半导体的全球格局下，中国光电子企业的机遇与探索”的主题报告，AI需要的连接必须高速，低能耗，低延时。基于InP/GaAs化合物半导体的高速光芯片是高速连接的引擎。高速数通光模块的迭代与数据中心架构升级相辅相成。流量数据的高速增长，不断推动数据中心架构升级。数据中心内外部互连正在向400G快速升级，800G已成为全新需求，应用在超大规模数据中心、云计算及人工智能算力中心中。1.6T光模块在2024年进入公众视野，3.2T也在悄然酝酿之中。
全彩集成氮化物Micro LED显示技术在智能手机、电视、电脑显示器、可穿戴设备等领域具有广阔的应用前景。九峰山实验室领域首席科学家闫春辉做了“全彩集成氮化物Micro LED显示技术的挑战与进展”的主题报告，并表示Micro-LED显示是未来半导体显示的关键基础平台技术，Mini/Micro-LED 有望成为”下一代显示技术”核心方向之一。是显示产业升级和经济增长的重要机遇。
论坛与博览会强强联动 传递产业发展新气象
本届九峰山论坛与博览会为期四天，其中JFSC论坛，采取“1主+8专+多场行业专题会”模式，除了重量级开幕大会，围绕化合物半导体关键材料、化合物半导体核心装备、EDA工具与生态链、光电子技术、功率电子技术、无线电子技术、先进半导体检测技术与标准、化合物半导体投融资趋势等重点方向，设置平行论坛，全面覆盖产业发展前沿热点，专题聚焦，深入探讨产业链关键环节相关重点技术发展进展与前沿趋势，传递最新技术发展信息，寻找新的动力源泉，促进产业链不同环节协同创新。
论坛在首届的基础上提档升级，增设了展会环节。在化合物半导体产业博览会现场，超万平展会面积吸引了来自10多个国家的200多家企业参展，覆盖半导体材料、设备、检测、设计、制造及封测、终端应用等全产业链及科研机构与孵化机构平台。其中，多家国际顶级展商是首次亮相中国展会。据悉，众多国际龙头企业齐聚中国展示最新技术与产品，这在全球化合物半导体领域内还是首次。
三大主题展区，六大领域，邀请到龙头企业领衔的众多企业参展，集中展示各链条关键环节的新技术、新产品、新服务，为产业链的升阶发展搭建供需精准对接平台，打造化合物半导体领域的标杆性展会，传递世界化合物半导体产业发展新气象。
同时，论坛与博览会期间，还设置了交流晚宴、商务考察等线上线下丰富的活动形式，助力对接资源，洽谈合作，价值共创。