4月8日，安建半导体宣布C1轮融资圆满收官，获得超过2亿元融资，由北京国管顺禧基金及中航投资领投，龙鼎投资、一元航天及万创投资跟投。募集资金将主要用于开发及量产汽车级IGBT与SiC MOS产品平台，扩建汽车级IGBT及SiC模块封装产线，扩充销售及其他人才团队，增加营运现金流储备等。

安建半导体是一家从事功率半导体元器件产品设计、研发及销售的公司，其现有低电压的SGT-MOSFET（分裂栅金属氧化物场效应晶体管）、高电压的SJ-MOSFET（超结金属氧化物场效应晶体管）、Field Stop Trench IGBT（绝缘栅双极晶体管）三条成熟的产品线。安建半导体官方消息显示，公司拥有由香港科技大学教授、大中华区唯一一位从事硅基功率半导体研究的美国电子电气工程师学会院士（IEEE Fellow）所领衔的业内顶尖技术团队。

据悉，安建半导体目前已推出1200V-17mΩ SiC MOSFET，正在同步建设SiC模块封装产线和开发新一代GaN技术和产品。

安建半导体指出，其早于2019年即在国内顶尖8-inch晶圆厂成功开发并量产了仅采用7层光罩工艺的第七代沟槽-场截止IGBT技术，是国内第一家量产第七代IGBT的国产厂家，并完全拥有相关自主知识产权。

2023年9月，安建半导体官宣近期将自有专利的第7层光罩工艺流程成功转移至国内顶级12-inch IGBT加工平台，也是国内首家推出基于7层光罩工艺的12-inch第七代IGBT的国产厂家。

（来源：集微）