据国家知识产权局公告，清华大学申请一项名为“半导体装置的制备方法、半导体装置和电子设备“，公开号CN117766402A，申请日期为2023年12月。专利摘要显示，一种半导体装置的制备方法、半导体装置和电子设备。该半导体装置的制备方法包括：在衬底上制备晶体管，其中，晶体管的半导体层包括铟基氧化物；通过物理气相沉积工艺在晶体管远离衬底一侧形成覆盖晶体管的钝化保护层；在钝化保护层远离衬底一侧形成钝化层。该半导体装置的制备方法可以提高半导体装置的性能和稳定性。