2023年11月27-30日，第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）将于厦门国际会议中心召开。本届论坛由厦门市人民政府、厦门大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）主办，厦门市工业和信息化局、厦门市科学技术局、厦门火炬高新区管委会、惠新(厦门)科技创新研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。
作为国内首家以液相法为核心技术生长SiC晶体的企业晶格领域将亮相本届盛会。期间，“碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术”技术论坛上，北京晶格领域半导体有限公司总经理张泽盛将带来“液相法碳化硅单晶生长技术研究”的主题报告，分享最新技术研究成果与发展趋势，诚邀业界同仁共聚本届盛会，交流互通，同议产业发展的现在与未来。
张泽盛，北京晶格领域半导体有限公司执行董事监总经理，博士，2023年获得北京市科技新星荣誉称号。已发表SCI论文6篇，申请发明专利17项（已授权3项）。自2016年起开始进行液相法生长碳化硅晶体技术研究，结合液相法生长晶体的技术特点改造设计了液相法碳化硅单晶生长炉，并针对液相法碳化硅单晶生长的生长方法、温场控制、助溶液配比、籽晶粘接与选取、籽晶旋转、籽晶提拉等晶体生长工艺进行了大量且深入的基础研究，成功实现晶体尺寸从2英寸快速突破到6英寸，在晶体生长速度、生长质量以及生长厚度方面也取得了巨大进步，达到国际领先水平。2020年6月，创立了国内首家采用液相法技术制备SiC衬底的企业—北京晶格领域半导体有限公司，实现了液相法碳化硅生长产业化技术成果转化落地，目前已建成的实验线具备年产超5000片碳化硅单晶衬底的生产能力。在液相法生长碳化硅单晶技术方面取得了重大突破，衬底质量逐步接近市场化需求，已经开始进行下游验证，在国内首次攻克了液相法SiC晶体生长产业化技术，即将进入产业化扩产阶段。该技术大范围推广将推动SiC产业发展。
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技术分论坛：碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术
Technical Sub-Forum: Technologies for SiC Substrate, Epitaxy Growth and Equipment
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时间：2023年11月29日08:25-12:00
地点：厦门国际会议中心酒店 • 白鹭厅
Time: Nov 29, 08:25-12:00
Location: Xiamen International Conference Center • Egret Hall
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协办支持/Co-organizer:
三安半导体 San'an Co.,ltd
广州南砂晶圆半导体技术有限公司Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,Ltd
北京北方华创微电子装备有限公司 NAURA Technology Group Co., Ltd.
赛迈科先进材料股份有限公司 SIAMC Advanced Material Corporation
清软微视（杭州）科技有限公司 T-Vision.AI (Hangzhou) Tech Co.,Ltd.
九峰山实验室 JFS Laboratory
德国爱思强股份有限公司 AIXTRON SE
河北普兴电子科技股份有限公司 HEBEIPOSHINGELECTRONICSTEC
哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 KY Semiconductor, Inc
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屏幕尺寸 / Slides Size：16:9
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主持人
Moderator
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徐现刚 / XU Xiangang
山东大学新一代半导体材料研究院院长、教授
Professor & Dean of Institute of Novel Semiconductors, Shandong University
冯 淦 / FENG Gan
瀚天天成电子科技（厦门）有限公司总经理
General Manager of EpiWorld International Co.,Ltd.
陈小龙/CHEN Xiaolong
中国科学院物理研究所研究员
Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences
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08:25-08:30
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嘉宾致辞 / Opening Address
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08:30-08:50
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利用碳化钽的坩埚中物理气相传输生长SiC和AlN晶体
Growth of bulk SiC and AlN crystals by Physical Vapor Transport in a crucible with presence of TaC
Yuri MAKAROV--Nitride Crystals Group Ltd.执行总裁
Yuri MAKAROV--President of Nitride Crystals Group Ltd.
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08:50-09:10
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200 mm 4H-SiC高质量厚层同质外延生长
200mm 4H-SiC for high quality thick-layer homogeneous epitaxial growth
薛宏伟--河北普兴电子科技股份有限公司总经理
XUE Hong--General Manager of Hebei Poshing Electronic Technology Co., Ltd
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09:10-09:30
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High throughput Epitaxy Solution for 150mm and 200mm Silicon Carbide
碳化硅6/8英寸高产能外延解决方案
方子文--德国爱思强股份有限公司中国区总经理
FANG Ziwen--General Manager, AIXTRON SE of China
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09:30-09:50
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大尺寸SiC单晶的研究进展Research progress of 8-inch SiC single crystal
杨祥龙--山东大学副教授/南砂晶圆技术总监
YANG Xianglong--Associate professor of Shandong University Technical director of Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co., Ltd
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09:50-10:10
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化合物半导体衬底和外延缺陷无损检测技术 Nondestructive Inspection for Compound Semiconductor Substrate and Epitaxy
周继乐--清软微视（杭州）科技有限公司 总经理
ZHOU Jile-- General Manager of T-Vision.AI (Hangzhou) Tech Co.,Ltd
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10:10-10:25
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茶歇 / Coffee Break
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10:25-10:45
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时间分辨光谱技术及其在SiC材料检测中的应用
Transient Absorption Spectroscopy and Its Applications in Semiconductor Testing
金盛烨--中国科学院大连理化所研究员、大连创锐光谱科技有限公司董事长
JIN Shengye--Professor of Dalian Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Chairman of Dalian Chuangrui Spectral Technology Co., Ltd
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10:45-11:05
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8英寸碳化硅衬底产业化进展
Industrialization progress of 8-inch silicon carbide substrate
赵丽丽--哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司董事长
ZHAO Lili--President of KY Semiconductor, Inc.
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11:05-11:25
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精细石墨——半导体材料制造之柱
Fine Graphite, a pillar for semiconductor material manufacture
吴厚政--赛迈科电子股份有限公司CTO
WU Houzheng--CTO of SIAMC Advanced Material Corporation
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11:25-11:45
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液相法碳化硅单晶生长技术研究
Research on the Growth Technology of Silicon Carbide Single Crystal by Liquid Phase Method
张泽盛--北京晶格领域半导体有限公司总经理
ZHANG Zesheng--General Manager of Beijing Lattice Semiconductor Co., Ltd
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11:45-12:00
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碳化硅衬底粗研磨和精研磨工艺及耗材技术
SiC Substrate Coarse Lapping and Fine Lapping Processes and Consumables
苑亚斐 北京国瑞升科技集团股份有限公司研发总监
YUAN Yafei R&D Director of Beijing Grish Hitech Co., Ltd
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12:00-12:15
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热壁反应器在4°离轴衬底上生长150mm低表面粗糙度4H-SiC外延层
Growth of 150 mm 4H-SiC Epilayers with Low Surface Roughness by a Hot-Wall Reactor on 4° off-Axis Substrates
闫果果--中国科学院半导体所助理研究员
YAN Guoguo--Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences
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12:00-13:25
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午休 / Adjourn
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（备注：本场会议日程仍在调整中，仅供参考，最终以现场为准！）
晶格领域半导体有限公司于2020年6月成立，是集碳化硅（SiC）衬底研发、生产及销售于一体，北京市及顺义区重点关注的创新型高技术企业。 晶格领域是国内首家以液相法为核心技术生长SiC晶体的企业，掌握具有自主知识产权的液相法SiC晶体生长技术。相较当前主流的物理气相传输法晶体生长技术，液相法能有效提高晶体质量，降低生产成本，并能有效解决目前行业内高质量4H-p型和3C-n型SiC衬底的产业化难题。此外，该方法对于推动宽禁带半导体产业发展具有重要意义。
公司已建成液相法碳化硅衬底制备试验线，并成功生长出4-6英寸4H-p型SiC晶体。2023年，公司进一步开发了2-4英寸3C-n型SiC晶体的液相生长技术，6英寸也在研发中。两种产品的尺寸、质量与厚度均处于国际领先水平。公司注重人才发展，拥有多种人才发展渠道，励志打造一支技术过硬、业务精湛的专业技术团队，发展成为国际一流的SiC衬底企业，促进第三代半导体产业发展。
更多论坛内容、活动及嘉宾信息，敬请关注半导体产业网、第三代半导体产业！
附论坛详细信息：
会议时间 : 2023年11月27-30日
会议地点 :中国· 福建 ·厦门国际会议中心
主办单位：
厦门市人民政府
厦门大学
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）
承办单位：
厦门市工业和信息化局
厦门市科学技术局
厦门火炬高新区管委会
惠新(厦门)科技创新研究院
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
论坛主题：低碳智联· 同芯共赢
程序委员会 ：
程序委员会主席团
主席：
张 荣--厦门大学党委书记、教授
联合主席：
刘 明--中国科学院院士、中国科学院微电子研究所所研究员
顾 瑛--中国科学院院士、解放军总医院教授
江风益--中国科学院院士、南昌大学副校长、教授
李晋闽--中国科学院特聘研究员
张国义--北京大学东莞光电研究院常务副院长、教授
沈 波--北京大学理学部副主任、教授
徐 科--江苏第三代半导体研究院院长、中科院苏州纳米所副所长、研究员
邱宇峰--厦门大学讲座教授、全球能源互联网研究院原副院长
盛 况--浙江大学电气工程学院院长、教授
张 波--电子科技大学教授
陈 敬--香港科技大学教授
徐现刚--山东大学新一代半导体材料研究院院长、教授
吴伟东--加拿大多伦多大学教授
张国旗--荷兰工程院院士、荷兰代尔夫特理工大学教授
Victor Veliadis--PowerAmerica首席执行官兼首席技术官、美国北卡罗莱纳州立大学教授
日程总览：
备注：更多同期活动正在逐步更新中！
注册参会：
备注：11月15日前注册报名，享受优惠票价！
＊中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）或第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）成员单位在此基础上再享受10%优惠。
＊学生参会需提交相关证件。
＊会议现场报到注册不享受各种优惠政策。
＊若由于某些原因，您缴费后无法参会，可办理退款事宜，组委会将扣除已缴费金额的5%作为退款手续费。
＊IFWS相关会议：碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术，氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术，碳化功率器件及其封装技术I、Ⅱ，氮化镓功率电子器件，氮化镓射频电子器件，超宽禁带半导体技术，化合物半导体激光器与异质集成技术、氮化物紫外技术 ；
＊SSL技术会议：光品质与光健康医疗技术，Mini/Micro-LED及其他新型显示技术，半导体照明芯片、封装及光通信技术，氮化物半导体固态紫外技术，光农业与生物技术,化合物半导体激光器与异质集成技术、氮化物紫外技术 ；
＊IFWS会议用餐包含：28日午餐、28日欢迎晚宴、29日午餐和晚餐、30日午餐；
＊SSL会议用餐：27日晚餐、28日午餐、28日欢迎晚宴、29日午餐。
线上报名通道：
组委会联系方式：
1.投稿咨询
白老师
010-82387600-602
papersubmission@china-led.net
2.赞助/参会/参展/商务合作
张女士
13681329411
zhangww@casmita.com
贾先生
18310277858
jiaxl@casmita.com
余先生
18110121397
yuq@casmita.com
协议酒店：
