第三代半导体产业技术战略联盟标准T/CASAS 021—202X《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）阈值电压测试方法》已完成征求意见稿的编制，该项标准征求意见稿按照CASAS标准制定程序，反复斟酌、修改、编制而成，起草组召开了多次正式或非正式的专题研讨会。根据联盟标准化工作管理办法，2023年6月16日起开始征求意见，截止日期2023年7月16日。

T/CASAS 021—202X《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）阈值电压测试方法》描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）阈值电压测试方法。适用于N沟道SiC MOSFET晶圆、芯片及封装产品的测试，用于用户入检、生产厂家标定以及第三方检测。