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    2023中国(宁波)第四届第三代半导体产业发展论坛举行

    发表于:2023-05-10 来源:半导体产业网 编辑:

    近日,2023中国(宁波)第四届第三代半导体产业发展论坛在宁波国际会议中心举行。宁波电子行业协会会长李凌,宁波市经信局党组成员、副局长王川出席并致辞。

    本次论坛通过深入研讨半导体技术应用发展趋势,旨在聚焦新能源汽车与消费电子前沿技术及创新应用,进一步探索构建宁波市第三代半导体产业创新生态。

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    据了解,以氮化镓、碳化硅等为代表的第三代半导体材料具备高频、高效、耐高压、抗辐射能力强等优越性能,是支撑半导体照明、新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道交通、能源互联网等产业自主发展和转型升级的重点核心材料和电子元器件。

    宁波市经信局副局长王川表示,宁波市高度重视第三代半导体材料产业的培育发展,经过多年的努力,已初步形成了涵盖半导体基础材料、集成电路设计、制造、封测、应用的全产业链条,构建了以芯港小镇、集成电路创新产业园等为支撑的“一区四链”产业发展格局。

    论坛报告环节,第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长冯亚东分享了《国际半导体政策研究》报告,宁波市经信局处长兼市数字经济局副局长苏志杰介绍了《宁波半导体产业发展现状与政策》,第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长、光荣资产管理(北京)有限公司合伙人耿博带来了《第三代半导体产业发展及投资状况分析》报告,甬江实验室研究员钟飞介绍了《协同创新平台模式探讨与实践》,复旦大学宁波研究院教授张清纯分享了《国产SiC器件国产化现状及发展趋势》,上海蔚来汽车研发总监李道会介绍了《第三代半导体助推电动汽车进程》,中电化合物半导体有限公司董事潘尧波分享了《SiC 材料的进展和挑战》,上海特易信息科技有限公司副总经理王燕飞分享了《半导体照明产业国际贸易趋势解读》报告。

    近年来我国半导体产业取得了快速发展,在半导体组装、封装和测试领域处于领先地位,我国但在半导体芯片设计、设备方面还存在短板。美国已经将我国作为主要竞争对手,各国密集的政策出台势必将对全球半导体产业生态、我国半导体产业发展产生重要影响。冯亚东副秘书长在报告中表示,要聚焦国家战略,重大项目牵引,形成发展合力。以应用促发展,培育龙头,加快迭代研发,推动产业集群。建立协同创新的产业体系和生态。推进新形势下精准深入的国际科技合作。

    耿博副秘书长指出,“十四五”是我国第三代半导体产业发展的关键窗口期,近期补短板,长期建立竞争优势,窗口期3-5年,需要形成合力。发展模式上,一是要保障人才、平台、机构可持续发展的能力建设,二是通过示范应用加速工程化技术迭代提升,推动形成规模化生产能力。需求牵引,协同创新形成本土闭环产业链,产业链核心环节形成自主保障能力,推动完善上中下游互融共生、分工合作的市场化机制。着眼长远、把握大势,联盟将充分发挥桥梁作用,为政产学研合作搭建平台,打通产业链上下游、促进协同创新。

    其中,张清纯教授表示:“自推出国内首款量产的‘15V驱动SiCMOSFET系列产品’,成功填补国内空白,并服务多家光伏与储能行业头部企业后,今年我们将正式上量。”目前下一代碳化硅芯片已在多家车企验证,未来将在电动车主驱芯片持续发力,率先实现主驱碳化硅芯片的国产替代。

    潘尧波透露,目前国内碳化硅材料质量达到国际先进水平,能支撑碳化硅器件对材料质量的要求。SiC材料降本放量成为当前核心,SiC技术不断发展,一些关键技术问题需要基础课题研究,需要产学研大力合作。2025年SiC材料将进入8吋时代,将会形成新的竞争格局。

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