智能驾驶时代下第三代半导体材料的技术进步给电动车电驱电控系统和电源系统带来的新的技术进展。汽车电动化、网联化、智能化发展趋势中，电动化最受益的是功率器件，尤其是IGBT。智能化的快速发展，自动驾驶、智能座舱等对汽车感知器件、运算能力、数据量需求日益提升，汽车控制芯片、存储芯片等成长空间广阔。

英诺赛科作为全球领先的GaN IDM高新技术企业，拥有世界上最大的8英寸硅基氮化镓生产基地和先进的研发与制造能力，致力于用硅基氮化镓打造绿色高效新世界。自2015年成立至今，英诺赛科已获专利700多项，为客户提供从30V 到700V的高、低压全功率段氮化镓芯片及全氮化镓整体解决方案。8英寸氮化镓全自动生产线与全流程质量管控体系，为芯片性能和大批量交付需求提供了有力保障。截至去年8月，英诺赛科已累计出货超1亿颗氮化镓芯片，并在消费类电子、数据中心、自动驾驶、新能源等领域与上下游企业紧密合作，逐步构建起氮化镓“芯”生态。

随着第三代半导体技术的持续进步，高效、低能耗、高功率密度的氮化镓功率器件推动系统向高功率密度的发展，逐渐成为绿色经济发展的驱动力，尤其是新能源汽车领域。据预测，到2025年电动汽车中氮化镓芯片市场机会每年总值将超过25亿美元。目前，英诺赛科已通过了IATF16949认证。

近期，在第八届国际第三代半导体论坛（IFWS）召开的“第二届车用半导体创新合作峰会”上。英诺赛科产品应用主任工程师孟无忌做了题为“GaN在新能源汽车的探索与实践”的主题报告，介绍了相关的实践成果与方案。

GaN功率器件在智能汽车中的应用涉及双向DC/DC、自动驾驶核心电源、PD快充、车载充电器(OBC)、激光雷达、LED驱动、音响Class-D功放、能量管理系统（BMS）、电机驱动等环节。

报告介绍了介绍了英诺赛科GaN在高性能自动驾驶激光雷达、音响Class-D功放等领域的应用，氮化镓Class-D功放仿真和样机，以及英诺赛科支撑高功率密度/高效率核心供电方案、All-GaN 车载快充和无线充解决方案、All-GaN 48V/12V双向DC/DC方案、All-GaN车载充电机(OBC)解决方案、All-GaN双向APM解决方案等实践进展。

其中，InnoGaN支撑高功率密度/高效率核心供电方案方面，相同功率密度下GaN可实现更高效率，相同效率下GaN可实现更高的功率密度。InnoGaN在音响Class-D功放中具有显著优势，比如高开关频率、超低寄生电容、零反向恢复等。All-GaN车载充电机(OBC)解决方案中，具有能量双向流动、效率高于Si /SiC MOSFET方案、成本低于SiC MOSFET方案等优势。All-GaN双向APM解决方案中具有高开关频率、DC/DC级高功率密度、低压侧低驱动损耗等优势。

嘉宾简介

孟无忌，英诺赛科产品应用主任工程师。自就读博士起致力于研究氮化镓晶体管高速和高频应用，发表SCI期刊论文3篇，国际学术会议论文8篇。目前在英诺赛科产品应用部负责氮化镓功率器件产品应用开发，构建InnoGaN产品与解决方案在数据中心、人工智能、新能源等战略新兴领域的竞争力。