GaN与SiC器件在不同应用场景下的表征方法逐步标准化，但复杂工况下的长期可靠性验证仍需深入探索。 

近日，由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）与三安光电股份有限公司共同主办的“2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”在重庆山城国际会议中心盛大召开。论坛围绕功率半导体制造及供应链中的诸多关键问题，多方优势力量强强联合，院士领衔，专家齐聚，携手促进功率半导体全产业链协同发展。

 泰克科技大中华区技术总监张欣

期间，“分论坛一：8英寸碳化硅晶圆智能制造”上，泰克科技大中华区技术总监张欣出席论坛，并带来”从参数测试到可靠性验证 新型功率器件的特性表征“的主题报告。当前，第三代半导体功率器件在参数测试、可靠性验证等方面面临着诸多问题。报告涉及功率半导体反向恢复参数测试、动态Rdson测试、短路耐受时间测试、IGBT 短路测试、动态老化测试系统、高温工作寿命测试 HTOL、HTOL测试、晶圆级 DHTOL老化测试等。

报告指出，SiC MOSFET 的可靠性问题涉及SiC的栅氧化层可靠性、SiC的（动态）阈值电压漂移 （BTI）、SiC MOSFET 在高 dv/dt 条件下的可靠性问题等。应用端可靠性问题，涉及失效机理不清晰，需要在真实应用场景下加速测试。

关于泰克科技

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