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总投资1亿欧元,爱思强新研发中心揭牌

发表于:2024-12-17 来源:半导体产业网 编辑:

12月13日,德国沉积设备商爱思强宣布,其位于德国黑措根拉特(Herzogenrath)创新研发中心正式揭牌。

图片来源:爱思强

项目总投资1亿欧元(约合人民币7.6亿元),于2023年11月正式奠基建设。创新研发中心专为氮化镓和其他化合物半导体应用向12英寸晶圆发展而设计。

爱思强表示,研发中心具有1000㎡的洁净室,将为化合物半导体行业往12英寸晶圆发展奠定基础。

爱思强总裁兼首席执行官 Felix Grawert 博士表示,凭借创新中心新的洁净室,公司将进一步扩大在技术市场上的领先地位。目前,爱思强已经拥有了首批12英寸氮化镓原型设备,设备已被集成到多家客户的试验生产线中。

值得注意的是,2024年前三季度,爱思强营收约4.064亿欧元(约人民币31.42亿元),其中氮化镓和碳化硅电力电子设备业务快速成长,订单量持续增长。

展望2025年,爱思强曾表示,氮化镓和碳化硅电力电子设备上的增长驱动力依然稳固。

另外,爱思强也仍看好未来Micro LED业务的发展前景。爱思强曾表示,LED行业仍在进行Micro LED技术的研究,公司收到了几家正在建设研发和试点生产线客户的订单。

爱思强表示,预计未来Micro LED首批应用市场将是智能手表、AR/VR 眼镜、电视和汽车应用。多个客户正在考虑在2027年或2028年开始提高Micro LED产量。

随着此次爱思强创新研发中心的建成,未来爱思强研发能力将进一步提高,提升设备新品性能,推动其在第三代半导体、Micro LED等领域发展布局,稳固爱思强在沉积设备领域的地位。(LEDinside Irving编译)

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