2024年11月18-21日，第十届国际第三代半导体论坛（IFWS2024）&第二十一届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2024）、先进半导体技术应用创新展（CASTAS）将在苏州国际博览中心G馆举办。

作为此次论坛承办支持单位之一，国家第三代半导体技术创新中心（苏州）将亮相此次展会，并诚挚邀请第三代半导体产业同仁共聚论坛，莅临B08-B09号展位参观交流、洽谈合作。

国家第三代半导体技术创新中心（苏州）【以下简称“国创中心（苏州）”】面向第三代半导体产业的自主可控与高质量发展目标，聚焦关键核心技术和重大应用方向，协同市场创新要素和国际人才资源，建设体系化创新型开放研发大平台，致力突破产业发展瓶颈技术、推动研究成果转移转化，为产业高质量发展提供源头技术供给，为科技型中小企业孵化、培育和发展提供创新服务。

国创中心（苏州）于2021年3月获科技部批复支持建设。国创中心（苏州）围绕国家重大发展战略和产业发展需求，聚焦“1~100”产业共性关键技术，建设开放共享的公共研发大平台，以市场化机制协同优势创新资源开展联合攻关，推动科技成果转化和创新型企业孵化，促进创新链、产业链、资金链、人才链的融合贯通，以新质生产力服务第三代半导体产业高质量创新发展。

国创中心（苏州）的承建单位为江苏第三代半导体研究院有限公司，研究院2019年7月注册于苏州工业园区，以市场化机制运行，是江苏省批准设立的新型研发机构，由江苏省、苏州市、苏州工业园区、核心运营团队联合共建。目前，国创中心（苏州）建有材料生长创新平台、测试分析与服役评价平台、器件工艺与封装平台、模块设计与集成应用平台四大研发平台，逐步建成支撑第三代半导体材料创新、器件工艺、测试评价及系统应用，具有国际先进水平的、开放共享的研发平台。

关于材料生长创新平台

材料生长创新平台面向新型显示、电力电子、微波射频、深紫外等应用领域，聚焦GaN、AlN单晶同质衬底和大尺寸异质衬底的材料和器件的外延生长，提供专业的定制化服务。材料平台拥有完善的设备和专业的研发团队，承担多项国家重点计划和省重点项目，拥有核心发明专利165项，发表及合作发表国际期刊20余篇。研发和生产了一系列应用于高端光电子、微电子器件的外延片产品，已累计合作和服务国内外高校、研究机构和科创型企业约100余家。 

平台规划五年投入人民币5亿元，建设30台套外延装备，形成小规模研发、中试线，打造国际一流水准、专业化、综合型的公共研发平台。

车间一角

专业团队

大尺寸异质外延片

高质量同质外延片 

关于测试分析与服役评价平台

测试分析与服役评价平台旨在建成第三代半导体领域的国家级创新型测试分析中心，推动我国第三代半导体测试技术、测试装备、测试标准和认证体系迈向国际一流水平，加快新质生产力成果转化，助力第三代半导体产业创新突破。

平台现有大型专业设备30多台套，具备材料分析、显微结构、光电性能、失效分析等测试功能；拥有一支30多人的技术专家团队，自主开发包括显微缺陷、微纳结构、杂质成分、光电特性、失效模式和失效机制的系统性解决方案，具有出具包括 CNAS、CMA 和第三方检测报告的资质能力，可为客户提供专业、可靠的一站式解决方案。平台在支撑自身研发任务及合作项目的基础上，已累计为200余家企业、高校和研发机构提供专业高效的测试分析服务。

关于器件工艺与封装平台

器件工艺与封装平台旨在构建国产化装备和工艺技术标准体系，建成国内首个第三代半导体器件工艺和装备公共验证平台，支撑新型显示、微波射频、电力电子等器件工艺的研究与工程化，实现标准化成套装备和工艺技术成果转移转化。平台汇聚国内优势资源，联合共建光刻、刻蚀、镀膜、离子注入、晶圆键合加工等关键工艺技术公共验证平台，攻克 UV-LED、Micro-LED、HEMT 和 MOSHFET 等宽禁带半导体芯片核心工艺技术，逐步实现 GaN 基半导体器件工艺装备国产化、量产化、标准化；开展GaNSiC等宽禁带半导体器件工艺技术开发及验证，支撑光电子工艺、微电子工艺、光机电集成工艺技术和装备技术验证。

关于模块设计与集成应用平台

模块设计与集成应用平台以市场需求为导向，携手龙头企业共建探索支撑未来智能时代的半导体综合平台。平台以项目为单元，进行开放式建设，专注于新型显示、射频功放、消费类电子等领域，推动后端产品和技术，专用化设备模块设计与集成应用等项目研发。

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