国家知识产权局信息显示，广东气派科技有限公司申请一项名为“一种 MOSFET 的封装结构”的专利，公开号 CN 118763060 A，申请日期为 2024 年 9 月。

专利摘要显示，本发明提供了一种 MOSFET 的封装结构，其包括 MOSFET 芯片、包覆所述 MOSFET 芯片的塑封体、设置于所述塑封体顶部的散热片、从所述塑封体顶部一侧引出且与所述散热片相连接的漏极引脚、设置于所述漏极引脚对侧且从所述塑封体顶部引出的栅极引脚和源极引脚，所述漏极引脚、所述栅极引脚和所述源极引脚都向所述塑封体底部方向延伸并弯折成鸥翼形状采用本发明的 MOSFET 的封装结构得到的 MOSFET 可适应多种安装方式并且散热性能佳。