国家知识产权局信息显示，杭州镓仁半导体有限公司申请一项名为“一种氧化镓单晶衬底抛光片的划片保护层结构及其划片方法”的专利，公开号CN 118752386 A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本发明提供了一种氧化镓单晶衬底抛光片的划片保护层结构及其划片方法，属于氧化镓单晶衬底抛光片加工技术领域。本发明的划片保护层结构由下到上依次包括层叠设置的斜坡夹具、载台、第二软质保护层、氧化镓Wafer、第一软质保护层和硬质保护层，所述斜坡夹具保证沿氧化镓Wafer(010)晶面方向的切割道呈斜坡角度切割。本发明中，第一软质保护层和第二软质保护层的作用是避免抛光Wafer的表面免受硬物划伤和冷却介质污染，硬质保护层的作用是抵消一部分划片过程中砂轮对(100)易解理晶面的法向作用力；斜坡夹具会进一步分解砂轮施加给(100)晶面的法向作用力，从而减少切割道周边Wafer解理、崩裂和微裂纹等缺陷的产生。本发明的划片方法切割速度快，可以实现抛光Wafer直接进行划片，且不产生Wafer表面的划伤和污染等缺陷。