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江苏集芯申请大尺寸碳化硅晶体生长坩埚及生长装置专利,保证晶体中心位置和外侧边缘的生长速率相一致

发表于:2024-10-21 来源:半导体产业网 编辑:

国家知识产权局信息显示,江苏集芯先进材料有限公司申请一项名为“大尺寸碳化硅晶体生长坩埚及生长装置”的专利,公开号CN 118756340 A,申请日期为2024年5月。

专利摘要显示,本发明公开了一种大尺寸碳化硅晶体生长坩埚及生长装置,生长坩埚包括外坩埚组件和内坩埚组件,所述外坩埚组件形成有密封的第一容纳腔;所述内坩埚组件形成有第二容纳腔,所述内坩埚组件设于所述第一容纳腔内,所述内坩埚组件的顶部设有连通所述第二容纳腔和所述第一容纳腔的贯穿孔;所述内坩埚组件能够根据生长阶段调节其内部气相组分的流动方向,以使气相组分持续稳定的均匀分布所述外坩埚组件内侧壁正对所述贯穿孔的侧设有第一石墨纸。根据本发明的大尺寸碳化硅晶体生长坩埚,能够自动调节其内部气相组分的流动方向,以使气相组分持续稳定的均匀分布,保证晶体中心位置和外侧边缘的生长速率相一致,有效避免大尺寸晶体的凸度问题。

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