国家知识产权局信息显示，格兰菲智能科技股份有限公司申请一项名为“功率半导体器件结构及其制备方法”的专利，公开号 CN 118748202 A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本申请涉及一种功率半导体器件结构及其制备方法。该结构包括：衬底，其中，衬底被划分为元胞区和终端区，终端区位于元胞区的外围；主结结构，位于衬底的第一侧且位于元胞区内多个场环结构位于衬底的第侧且位于终端区内，多个场环结构包括多个场限环和至少一个截止环。至少一个截止沟槽，位于衬底的第一侧、且在第一方向上位于相邻的场限环和截止环之间，截止沟槽内填充有电极材料。通过设计截止沟槽，且截止沟槽内填充有电极材料，截止沟槽结构能够等同于一个电极，实现电场的截止，因此可以缩短最外围的一个场限环和截止环之间的距离，进而有利于终端区的面积的缩小，便于实现功率半导体器件的小型化、集成化设计。